每日焦點

應用於非揮發性記憶體與非晶材料技術研究

以XPS分析ZnO玻璃內部V元素主要呈+4價和+5價,提供具有極化子傳導機制的證據。電性量測顯示ZnO系列電性較佳。進一步製備奈米元件並測試,證實其具有RRAM的電阻開關特性,透過擬合分析揭示傳導機制包含陷阱輔助穿隧、空間電荷限制電流或歐姆傳導。其電阻轉態機制結合了玻璃本身的極化子傳導與RRAM的導電絲形成理論。本研究證實磷酸鹽半導體玻璃作為RRAM的潛力,不僅拓展了半導體玻璃材料在電子元件領域的應用範圍... [詳細]

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