磁性相變大幅提升自旋霍爾效應，開拓次世代磁性記憶體新功能
日本大阪大學與東京大學、沖繩科學技術大學院大學共同研究發現，凡得瓦力強磁性材料「Fe₅GeTe₂(FGT)」在由順磁性轉變為強磁性的過程中，電流轉換為自旋流的效率可產生約一個數量級的變化。自旋霍爾效應可將電流轉換為自旋流，而自旋流又能有效控制磁性材料的磁化狀態，因此被視為次世代非揮發性磁性記憶體的重要驅動原理。研究團隊製作由FGT、銅及強磁性金屬坡莫合金(Permalloy)堆疊而成的薄膜元件，並以自旋轉矩鐵磁共振法進行評估，並針對薄膜元件結構... [詳細]