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寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰
隨著電動車、高效率電源轉換器、AI伺服器與再生能源系統快速發展,功率半導體元件正朝向高功率密度、高開關頻率與高效率方向演進。傳統矽基(Silicon)功率元件已逐漸面臨材料極限,因此具備高崩潰電場、高熱導率與高速切換特性的寬能隙半導體已成為次世代功率電子技術的重要發展方向。然而,隨著元件性能提升,封裝技術亦面臨更嚴苛之挑戰,包括高溫操作下之可靠度、寄生電感與寄生電容抑制、高散熱需求,及高頻高速切換所造成之電磁干擾與機械應力問題...
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