碳化矽(Silicon Carbide; SiC)因具備高擊穿電場、高熱導率與高溫操作能力，已成為電動車、再生能源與高功率元件的重要材料，其單晶基板多仰賴物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport; PVT)生長。然而，PVT長晶爐內部環境高溫且密閉，製程過程如同黑盒子，難以直接觀測熱場與氣相分布，因此製程優化常需仰賴大量試誤與長時間模擬 無法正常瀏覽內容，請點選此線上閱讀 2026 . 7 . 1 出刊 取消訂閱 【工業材料雜誌】 朝向虛擬實驗室：基於代理模型的SiC晶體成長爐即時熱場模擬與數位轉型【材料News】超越MOF脆性限制，京都大開發高柔軟性多孔奈米纖維材料【研討會專區】紡織廢棄物再生技術實務班 朝向虛擬實驗室：基於代理模型的SiC晶體成長爐即時熱場模擬與數位轉型 碳化矽(Silicon Carbide; SiC)因具備高擊穿電場、高熱導率與高溫操作能力，已成為電動車、再生能源與高功率元件的重要材料，其單晶基板多仰賴物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport; PVT)生長。然而，PVT長晶爐內部環境高溫且密閉，製程過程如同黑盒子，難以直接觀測熱場與氣相分布，因此製程優化常需仰賴大量試誤與長時間模擬，研發效率受限。本文以COMSOL Multiphysics®建立SiC PVT長晶爐多物理場模型，聚焦電磁加熱、熱傳導、熱輻射與多孔介質氣相傳輸等機制，並結合拉丁超立方抽樣與代理模型進行快速預測。透過此流程，可將原本需耗費數小時至數天的高精度模擬縮短為秒級輸出，協助工程師快速探索參數組合、評估製程風險並進行條件最佳化。此一方法可作為建構虛擬實驗室的基礎，進一步支援SiC晶體生長的數位轉型與研發加速 ---《本文節錄自「工業材料雜誌」474期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》 超越MOF脆性限制，京都大開發高柔軟性多孔奈米纖維材料 Patentix達成空乏型r-GeO2 MOSFET運作實證 無需貴金屬觸媒，實現鐵離子光照產氫技術 四重切換觸媒實現單一原料多反應路徑控制 資料中心應用熱能轉換技術，驗證廢熱發電可行性 超音波接合降低界面阻抗，大幅簡化全固態電池製程 利用拉伸應變逆轉限制，大阪公立大學提升BFO壓電效能 全球碳中和化學品市場爆發，生質、CO2及化學回收成主軸 國內首座無加藥廢硫酸降解雙氧水系統 低碳零廢棄有機生質物能資化再利用 厭氧氨氧化菌培養中心開發應用 漏水智慧監測技術 AI伺服器用浸沒式冷卻液技術 NaPoGlass-吸放自如的高效能金屬離子捕捉材 半導體材料數位雙生研究室 金屬3D列印服務平台 多尺度模擬與材料化學數位MI、AI應用研討會 紡織廢棄物再生技術實務班 日本glass core載板及CPO應用 日本環氧樹脂4天系統化解析 新型光阻劑測試實務，與去除光阻 日本ABF與BT樹脂載板材料之低翹曲製程 CPO關鍵技術及其對應解法 電子報內容均屬於「材料世界網」所有，禁止轉載或節錄。若您對電子報有任何意見，歡迎指教。材料世界網首頁 │會員中心 │聯絡我們│廣告業務 │訂閱│推薦訂閱 │取消訂閱