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 【材料最前線】從Intersolar Europe 2025看太陽能產業發展與應用
【工業材料雜誌】高介電閘極材料前驅物技術開發
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 從Intersolar Europe 2025看太陽能產業發展與應用
本文以Intersolar Europe 2025展覽為觀察對象，分析全球太陽能產業最新技術與應用趨勢。展覽中，高效能太陽能模組（TOPCon、HJT、IBC、鈣鈦礦）、建築整合型光電(BIPV)、模組化儲能系統及混合能源解決方案均呈現快速發展與商業化潛力。從展會案例可見，太陽能應用正從單一發電設備轉向分散式、智慧化與跨場域整合，並與智慧能源管理、AI調度及能源即服務(EaaS)模式結合，拓展城市、農業及交通等多元應用場景。此外，半透明、彩色及可撓式光電模組，以及有機光電材料(OPV)的展示，顯示建築美學與能源效益融合已成為市場新趨勢。本文透過展會觀察，提出全球太陽能產業在技術、應用與商業模式上的發展動向---《本文節錄自「材料最前線」專欄（作者：張評款 / 工研院綠能所），更多資料請點選 MORE 瀏覽》 |
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高介電閘極材料前驅物技術開發
隨著半導體製程邁向2 nm以下節點，傳統SiO2與HfO2閘極絕緣層已難兼顧低等效氧化層厚度(EOT)、低漏電與高可靠度等需求，因此高介電常數材料成為關鍵突破方向。稀土氧化物如La2O3與Y2O3，具備優異的高介電常數與寬能隙特性，在邏輯與記憶體元件中展現極大潛力。原子層沉積(ALD)具有原子級厚度控制與優異覆蓋能力，成為沉積稀土薄膜的關鍵技術，也對前驅物的特性提出更高要求。結合氮化處理、形成LaON與YON或摻雜鑭(La)與釔(Y)元素，均有助於提升薄膜品質與元件可靠度，展現稀土高介電材料在2 nm以下先進節點的應用潛力。近年來多項專利與研究指出，透過ALD精確製程結合多層堆疊與摻雜技術，La2O3與Y2O3在高k閘極與DRAM深溝電容應用上展現出明顯優勢，特別是在HfLaO與HfYO複合結構中，ALD不僅能維持高k性能，亦可有效改善界面穩定性---《本文節錄自「工業材料雜誌」467期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》 |
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