東京大學與中研院開發二維半導體光電元件，室溫下實現高效率發光控制
東京大學工學研究科組成的國際研究團隊與台灣中央研究院應用科學研究中心合作，成功開發出以二維半導體「單層二硫化鉬(MoS₂)」為核心的光電元件，並首次在室溫下實現大面積、高效率且可透過電場控制發光強度，可望為新世代光電子元件發展帶來重要突破。單層MoS₂因僅有單一原子層厚度，兼具優異的光電特性而被視為次世代發光元件、光通訊及光子晶片的重要材料。然而，過去受限於材料特性與電荷控制能力，難以在大面積材料上於室溫下穩定且高效率地調整發光... [詳細]