利用AI自主循環實驗，加速高品質半導體薄膜製程
在次世代功率半導體材料氧化鎵(β-Ga₂O₃)的濺鍍實證中，系統先於藍寶石基板上針對溫度、功率、Ar與O₂流量進行自主最佳化。歷經56次探索後，將反映結晶缺陷的烏爾巴赫能量(EU)降至182 meV，達到當時已報導成果中的最低值，再將該條件轉用於β-Ga₂O₃基板，成功製作高品質單晶薄膜。數據分析進一步發現，溫度與O₂流量存在顯著交互作用，依此萃取出的成膜規則進行二次優化，更將EU降低至163 meV。證實該規則可實際提升成膜品質。NTT指出，此技術整合高通量實驗... [詳細]