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  • 高分子離子液體技術突破,新型材料二氧化碳吸附容量提升7倍

    日東紡與東北大學成功確認經過陰離子置換改質的高分子離子液體(Poly(ionic liquid)s; PILs)具有優異的二氧化碳吸附能力。研究發現,透過調整材料中的相對陰離子(Counter Anion)結構,可顯著提升二氧化碳吸附性能,且當導入較大尺寸的陰離子時,二氧化碳吸附容量會隨之增加...
    2026/07/16
  • 廢棄生物質高值化利用,Toray實現100%生質尼龍66一貫製造技術

    日本Toray與泰國石化企業PTT Global Chemical合作,以澱粉殘渣發酵取得之黏康酸(Muconic Acid)為原料,達成全球首度實現生質己二酸(Adipic Acid)與100%生質來源尼龍66(Nylon 66)連續生產的一貫化製造技術。此次研究進一步驗證出己二胺(Hexa...
    2026/07/15
  • 熔點超過220℃的聚酯彈性體,部分替代氟樹脂

    東洋紡MC開發出具有高熔點與超高耐熱性的熱塑性聚酯彈性體材料,具備超越既有高耐熱產品的耐熱性能,熔點提升至220℃以上,不僅能同時保持柔軟性與耐油性,更具備在高溫環境下不易劣化的耐熱老化性能。目前的目標是以此種材料打入過往一向由氟樹脂主導的高溫應用領域。預期用途包括耐熱電線被覆材料、匯流排被覆...
    2026/07/14
  • 230℃高耐熱環氧樹脂封裝材料,拓展SiC功率模組應用

    日本Sumimoto Bakelite開發了一項適用於次世代碳化矽(SiC)功率模組的固態環氧樹脂封裝材料「EME-G785系列」,並正式開始量產。此材料實現業界首創230℃的高玻璃轉移溫度(Tg),可滿足高溫操作環境下對功率半導體封裝材料的嚴苛需求。雖然SiC半導體可在超過200℃的高溫環境...
    2026/07/13
  • Panasonic開發半導體封裝微細配線技術,沿用PCB製程實現高頻傳輸

    日本Panasonic Industry開發出一項可沿用既有印刷電路板(PCB)製造流程的半導體封裝微細配線技術,在提升高頻傳輸性能與配線微細化的同時,無須導入全新的製造體系。此項技術源自Panasonic Industry已經量產的透明導電薄膜「FineX (Fine Cross)」。Fin...
    2026/07/10
  • 突破銅配線極限,慶應大學等發表4項1 nm世代低電阻互連技術

    日本慶應義塾大學與物質材料研究機構(NIMS)的研究團隊共同發表4項與1 nm節點之後的次世代半導體配線材料研究成果。這些技術可望大幅降低半導體積體電路中的配線電阻,突破現有銅(Cu)配線在微細化過程中面臨的性能瓶頸。隨著半導體製程持續微縮,元件效能提升與功耗降低已取得顯著進展。然而,使用於連...
    2026/07/09
  • TRC開發半導體混合接合界面強度直接評估技術,提升3D封裝可靠性

    日本Toray Research Center (TRC)推出可直接定量評估半導體混合接合(Hybrid Bonding)實際元件內部接合強度的分析服務,可望藉此解決過去難以掌握微細接合界面可靠性的問題。混合接合技術可同時實現金屬配線(主要為銅電極)間的電氣連接,以及周圍絕緣層(如SiO₂等)...
    2026/07/08
  • 魁半導體開發電漿奈米粒子控制技術,實現金屬氧化物粒徑精準設計

    日本魁半導體開發出一項利用電漿(Plasma)生成金屬氧化物奈米粒子的新型控制技術,可在維持超小粒徑的同時抑制粒子凝聚並提升穩定性。透過搭載此項技術的專用設備,魁半導體已成功實現氧化鎢與氧化鋁奈米粒子的可控生成,可於數奈米至數百奈米範圍內自由設計粒徑。此項技術預計首先應用於半導體製程中的化學機...
    2026/07/06
  • 東京大學與NTT開發超低損耗AlN系蕭特基二極體並成功實證

    東京大學與NTT開發出一項低損耗氮化鋁系(AlN)蕭特基能障二極體(Schottky Barrier Diode; SBD),並成功進行了運作實證。此元件在AlN系器件中創下世界最低紀錄,實現導通電阻0.34 mΩ·cm²、逆向耐壓400 V、最大破壞電場約...
    2026/07/03
  • 2026/07/02