|
標題
刊登日期
|
Kuraray佈局半導體水資源循環與高效儲能材料
日本Kuraray積極拓展半導體與AI資料中心相關事業，推出中空纖維膜與活性碳等產品，藉此分別回應半導體製程的水資源循環以及AI資料中心的電力波動需求。在半導體領域，隨著氣候變遷、水資源短缺及半導體工廠集中設置，用水取得與再利用成為重要課題。Kuraray推出中空纖維膜模組「AQUAVICSU...
2026/10/14
|
ALD-Al₂O₃實現無空洞晶圓接合，降低3D積體製程複雜度
橫濱國立大學與KOKUSAI ELECTRIC研究團隊發現以原子層沉積法(ALD)形成的氧化鋁(Al₂O₃)薄膜具有「自我活化」特性，可在無須事前電漿處理或化學機械研磨(CMP)的情況下實現直接接合，此項研究成果將可望簡化3D半導體的晶圓接合製程。3D積體技術透過垂直堆疊不同功能的晶片或晶圓，...
2026/10/14
|
光異構化驅動界面切換，實現無殘膠剝離與基材回收
大阪大學與三重大學、山型大學、大阪工業大學組成的研究團隊從光響應致動器(Actuator)獲得啟發，以「界面切換」為核心，開發出可重複使用光響應黏著劑，可望藉此解決既有光響應黏著劑因內部凝聚力切換而容易在基材表面殘留、難以回收的問題。新黏著劑以甲基丙烯酸丁酯(Butyl Methacrylat...
2026/10/13
|
350 nm高精度轉印與65 nm超穎光學，AR光波導量產技術突破
日本NTT Advanced Technology (NTT-AT)與奧地利奈米壓印微影(NIL)設備大廠EV Group (EVG)宣布，已驗證NTT-AT高折射率樹脂與EVG奈米壓印製程的組合，可應用於擴增實境(AR)光學元件光波導的量產，並具備量產所需的高圖案保真度、連續轉印性及耐環境性...
2026/10/13
|
以木質生質光阻實現10 nm微細圖案
日本王子控股(Oji Holdings)發表，其以木質生質原料開發的先進半導體用光阻（木質生質光阻），透過次世代High-NA EUV（高數值孔徑0.55）微影技術進行評估，確認已成功形成對應A14製程節點的微細圖案。High-NA EUV相較於既有NA 0.33 EUV可實現更高的解析度，並...
2026/10/12
|
無SF6高壓絕緣技術，推動變電設備低碳化
日本金澤工業大學發表與富士電機共同開發的「變電設施環境友善型絕緣技術」，由於其不使用溫室效應氣體SF6（六氟化硫）的技術受到肯定，於國際大電力系統會議CIGRE Paris Session 2026獲頒「Best Paper獎」。變電所等電力設備須承受數萬至數十萬伏特高電壓，因此需要高度的絕緣...
2026/10/12
|
Fe-Cu-Ag超細複合粉體兼具強磁性與高導電性，有望應用於半導體測試
因應半導體元件朝微小化與多引腳化發展，日本產業技術綜合研究所與韓國國立釜慶大學共同開發鐵(Fe)-銅(Cu)-銀(Ag)超細複合粉體，兼具強磁性、高導電性與良好機械特性，可望作為半導體測試插座的新型導電填料。現行測試插座為彈性體型，主要採用鎳(Ni)或鍍貴金屬Ni粉末作為導電填料。研究團隊以F...
2026/10/08
|
磁性相變大幅提升自旋霍爾效應，開拓次世代磁性記憶體新功能
日本大阪大學與東京大學、沖繩科學技術大學院大學共同研究發現，凡得瓦力強磁性材料「Fe₅GeTe₂(FGT)」在由順磁性轉變為強磁性的過程中，電流轉換為自旋流的效率可產生約一個數量級的變化。自旋霍爾效應可將電流轉換為自旋流，而自旋流又能有效控制磁性材料的磁化狀態，因此被視為次世代非揮發性磁性記憶...
2026/10/08
|
新型電解液添加劑延長鋰離子電池壽命
北陸先端科學技術大學院研究團隊開發出新型電解液添加劑(FPTI)，可保護鋰離子電池的石墨負極，大幅提升其耐久性。由於石墨電極可以穩定充放電，鋰離子電池往往採用石墨負極。在負極表面會有部分電解液分解，形成所謂的「固態電解質界面(SEI)」薄膜，發揮保護負極表面的作用。然而這層保護膜並不穩定，在某...
2026/10/07
|
新型二維量子點高速測量技術，突破高電阻元件限制
東北大學與物質材料研究機構開發出針對二維層狀材料量子點的高速測量技術。研究團隊在高頻共振電路中，整合量子順電鈦酸鍶(SrTiO₃)可變電容器，並將其應用於雙層石墨烯量子點與二硫化鉬(MoS₂)元件的測量，建構出能夠精密調整電路特性的測量系統。利用容量控制電壓調控SrTiO₃可變電容器，在閘極電...
2026/10/07
|
|
|