|
標題
刊登日期
|
高分子離子液體技術突破，新型材料二氧化碳吸附容量提升7倍
日東紡與東北大學成功確認經過陰離子置換改質的高分子離子液體（Poly(ionic liquid)s; PILs）具有優異的二氧化碳吸附能力。研究發現，透過調整材料中的相對陰離子(Counter Anion)結構，可顯著提升二氧化碳吸附性能，且當導入較大尺寸的陰離子時，二氧化碳吸附容量會隨之增加...
2026/07/16
|
超窄頻發光有機材料實現5.5奈米半峰全寬，促進高精細顯示技術發展
京都大學研究團隊成功開發出一種具有極窄發光頻譜的有機材料，其發光半峰全寬(Full Width at Half Maximum; FWHM)僅5.5奈米，創下極窄頻發光材料的新成果。此項技術可望應用於高解析度顯示器，推動下一代OLED等顯示技術發展。京都大學早於2016年即提出新的分子設計方向...
2026/07/16
|
超高速玻璃深孔雷射加工技術，每秒可加工3,000深孔
日本理化學研究所與Enplas研究所等機構共同開發出一項高速雷射加工技術，可在玻璃基板上以每秒3,000個孔洞的速度加工高深寬比(Aspect ratio)達1,000的深孔，創下全球最快的紀錄。此項技術可形成直徑僅1.1微米的微細孔洞，且雷射照射時間低於1奈秒，未來可望應用於次世代半導體3D...
2026/07/15
|
廢棄生物質高值化利用，Toray實現100%生質尼龍66一貫製造技術
日本Toray與泰國石化企業PTT Global Chemical合作，以澱粉殘渣發酵取得之黏康酸(Muconic Acid)為原料，達成全球首度實現生質己二酸(Adipic Acid)與100%生質來源尼龍66(Nylon 66)連續生產的一貫化製造技術。此次研究進一步驗證出己二胺(Hexa...
2026/07/15
|
東芝開發出可減少30%逆變器電力耗損的SiC功率模組
東芝D&S開發出高頻逆變器用SiC功率模組之新技術，可搭載於資料庫的電源系統等。經確認得知，因高頻運作使逆變器的總電力耗損成功降低30%。新技術係將內建SBD的SiC MOSFET與搭載結構進行了最佳化的模組設計進行結合，實現了高速開關(Switching)時的低耗損與高品質。具體來說...
2026/07/14
|
熔點超過220℃的聚酯彈性體，部分替代氟樹脂
東洋紡MC開發出具有高熔點與超高耐熱性的熱塑性聚酯彈性體材料，具備超越既有高耐熱產品的耐熱性能，熔點提升至220℃以上，不僅能同時保持柔軟性與耐油性，更具備在高溫環境下不易劣化的耐熱老化性能。目前的目標是以此種材料打入過往一向由氟樹脂主導的高溫應用領域。預期用途包括耐熱電線被覆材料、匯流排被覆...
2026/07/14
|
230℃高耐熱環氧樹脂封裝材料，拓展SiC功率模組應用
日本Sumimoto Bakelite開發了一項適用於次世代碳化矽(SiC)功率模組的固態環氧樹脂封裝材料「EME-G785系列」，並正式開始量產。此材料實現業界首創230℃的高玻璃轉移溫度(Tg)，可滿足高溫操作環境下對功率半導體封裝材料的嚴苛需求。雖然SiC半導體可在超過200℃的高溫環境...
2026/07/13
|
NIMS開發非晶質中間層技術，實現矽晶圓上高品質GaN薄膜成長
日本物質材料研究機構(NIMS)開發了一項在矽晶圓上形成氮化鎵(GaN)薄膜的新型緩衝層「類非晶質中間層(Amorphous-Like Intermediate Layer; AL-IL)」技術，可望成為利用低成本矽晶圓製造垂直型GaN元件的重要基礎。過去垂直型GaN元件主要採用昂貴的單晶Ga...
2026/07/13
|
Panasonic開發半導體封裝微細配線技術，沿用PCB製程實現高頻傳輸
日本Panasonic Industry開發出一項可沿用既有印刷電路板(PCB)製造流程的半導體封裝微細配線技術，在提升高頻傳輸性能與配線微細化的同時，無須導入全新的製造體系。此項技術源自Panasonic Industry已經量產的透明導電薄膜「FineX (Fine Cross)」。Fin...
2026/07/10
|
突破銅配線極限，慶應大學等發表4項1 nm世代低電阻互連技術
日本慶應義塾大學與物質材料研究機構(NIMS)的研究團隊共同發表4項與1 nm節點之後的次世代半導體配線材料研究成果。這些技術可望大幅降低半導體積體電路中的配線電阻，突破現有銅(Cu)配線在微細化過程中面臨的性能瓶頸。隨著半導體製程持續微縮，元件效能提升與功耗降低已取得顯著進展。然而，使用於連...
2026/07/09
|
|
|