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半導體產業迎來「玻璃時代」，從光罩基板到先進封裝全面擴展
隨著先進製程、AI伺服器及高階封裝技術的快速發展，玻璃材料在半導體產業的重要性持續提升。除了一般應用於曝光光學鏡頭、反射鏡、光罩基板(Mask Blanks)以及印刷電路板(PCB)補強材料之外，近年最受矚目的焦點莫過於玻璃核心基板(Glass Core Substrate)、玻璃載板(Gla...
2026/07/17
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AI市場推動電池材料發展，彌補電動車缺口
對於在北美布局的電池材料製造商來說，資料中心購置定置型儲能系統(ESS)作為備援電源的需求，逐漸成為一種新的獲利來源。由於補助政策終止等因素，美國的電動車市場成長鈍化，發展未如預期，同時波及了電池材料產業。對於需求端的疑慮，已經導致電池材料業者必須重新檢討事業規劃。然而，隨著AI資料中心的建設...
2026/07/17
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高分子離子液體技術突破，新型材料二氧化碳吸附容量提升7倍
日東紡與東北大學成功確認經過陰離子置換改質的高分子離子液體（Poly(ionic liquid)s; PILs）具有優異的二氧化碳吸附能力。研究發現，透過調整材料中的相對陰離子(Counter Anion)結構，可顯著提升二氧化碳吸附性能，且當導入較大尺寸的陰離子時，二氧化碳吸附容量會隨之增加...
2026/07/16
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超窄頻發光有機材料實現5.5奈米半峰全寬，促進高精細顯示技術發展
京都大學研究團隊成功開發出一種具有極窄發光頻譜的有機材料，其發光半峰全寬(Full Width at Half Maximum; FWHM)僅5.5奈米，創下極窄頻發光材料的新成果。此項技術可望應用於高解析度顯示器，推動下一代OLED等顯示技術發展。京都大學早於2016年即提出新的分子設計方向...
2026/07/16
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廢棄生物質高值化利用，Toray實現100%生質尼龍66一貫製造技術
日本Toray與泰國石化企業PTT Global Chemical合作，以澱粉殘渣發酵取得之黏康酸(Muconic Acid)為原料，達成全球首度實現生質己二酸(Adipic Acid)與100%生質來源尼龍66(Nylon 66)連續生產的一貫化製造技術。此次研究進一步驗證出己二胺(Hexa...
2026/07/15
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超高速玻璃深孔雷射加工技術，每秒可加工3,000深孔
日本理化學研究所與Enplas研究所等機構共同開發出一項高速雷射加工技術，可在玻璃基板上以每秒3,000個孔洞的速度加工高深寬比(Aspect ratio)達1,000的深孔，創下全球最快的紀錄。此項技術可形成直徑僅1.1微米的微細孔洞，且雷射照射時間低於1奈秒，未來可望應用於次世代半導體3D...
2026/07/15
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東芝開發出可減少30%逆變器電力耗損的SiC功率模組
東芝D&S開發出高頻逆變器用SiC功率模組之新技術，可搭載於資料庫的電源系統等。經確認得知，因高頻運作使逆變器的總電力耗損成功降低30%。新技術係將內建SBD的SiC MOSFET與搭載結構進行了最佳化的模組設計進行結合，實現了高速開關(Switching)時的低耗損與高品質。具體來說...
2026/07/14
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熔點超過220℃的聚酯彈性體，部分替代氟樹脂
東洋紡MC開發出具有高熔點與超高耐熱性的熱塑性聚酯彈性體材料，具備超越既有高耐熱產品的耐熱性能，熔點提升至220℃以上，不僅能同時保持柔軟性與耐油性，更具備在高溫環境下不易劣化的耐熱老化性能。目前的目標是以此種材料打入過往一向由氟樹脂主導的高溫應用領域。預期用途包括耐熱電線被覆材料、匯流排被覆...
2026/07/14
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230℃高耐熱環氧樹脂封裝材料，拓展SiC功率模組應用
日本Sumimoto Bakelite開發了一項適用於次世代碳化矽(SiC)功率模組的固態環氧樹脂封裝材料「EME-G785系列」，並正式開始量產。此材料實現業界首創230℃的高玻璃轉移溫度(Tg)，可滿足高溫操作環境下對功率半導體封裝材料的嚴苛需求。雖然SiC半導體可在超過200℃的高溫環境...
2026/07/13
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NIMS開發非晶質中間層技術，實現矽晶圓上高品質GaN薄膜成長
日本物質材料研究機構(NIMS)開發了一項在矽晶圓上形成氮化鎵(GaN)薄膜的新型緩衝層「類非晶質中間層(Amorphous-Like Intermediate Layer; AL-IL)」技術，可望成為利用低成本矽晶圓製造垂直型GaN元件的重要基礎。過去垂直型GaN元件主要採用昂貴的單晶Ga...
2026/07/13
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