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TORAY推出新型PFAS-Free離型材料，佈局面板級封裝市場
日本TORAY開發了一款不含全氟/多氟烷基物質(PFAS)且不含矽之半導體封裝用離型膜。此新等級產品表面具有微細凹凸的白濁型設計，可提升辨識性與對位精度，同時能使封裝材料表面更易印字。由於主流材料—乙烯四氟乙烯(ETFE)離型膜亦具有凹凸結構，TORAY期藉由重現使用者熟悉的觸感，...
2026/04/17
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PFAS污染溯源新方法，碳同位素比分析應用
日本芝浦工業大學與產業技術綜合研究所(AIST)開發出一套可應用於辨識全氟/多氟烷基物質(PFAS)來源的分析系統。透過檢測PFAS所含碳元素的同位素(Isotope)比例，可望區分其製造方法差異，進而推定污染來源。此項技術亦可分析低濃度且含雜質的樣品，突破以往技術限制，未來可望成為河川與廢水...
2026/04/16
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高絲開發出印刷PP脫墨技術，實現如新品般高透明度的循環材料
日本高絲(KOSE)開發出可將印刷後的聚丙烯(PP)邊角料再生成透明樹脂的「脫墨技術」，高透明度相當於全新材料，可實現做為化妝品本體包裝之透明度以及減輕環境負荷的循環性。此項技術亦已計劃應用於實際商品。
在化妝品產業，獨立包裝盒是營造顧客拿起產品時產生愉悅感的關鍵...
2026/04/15
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富士通開發GaN功率放大器，8 GHz效率達74.3%創世界紀錄
日本富士通開發了一項功率放大器(Power Amplifier)技術，在8 GHz頻率下實現74.3%的電力轉換效率，為此頻段的世界最高紀錄（富士通資料）。此項成果透過在氮化鎵(GaN)HEMT元件中導入高品質絕緣閘極技術，成功同時實現高效率與高輸出功率。8 GHz屬於6G候選頻段FR3(Fr...
2026/04/15
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2026/04/15
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2026/04/15
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以AI找出最佳溶劑，實現無需超音波之CNT薄膜低成本製程
日本産業技術綜合研究所(AIST)建立了一項可低成本且穩定生產奈米碳管(CNT)薄膜的技術。CNT因具備優異導電性，廣泛應用於觸控面板與太陽能面板電極等電子元件。為充分發揮其導電性能，關鍵在於原料CNT粉末須達到充分且均勻的分散狀態。CNT為碳原子以筒狀結構排列形成的奈米材料。
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2026/04/15
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世界首次觀測到「電漿極化子」，揭示半金屬高熱電性能機制
岡山大學與名古屋大學、京都大學、廣島大學及高能加速器研究機構(KEK)等組成的研究團隊發表了一項研究成果，在具有高熱電性能的半金屬材料「Ta₂PdSe₆」中，成功首次直接觀測到電子與集體電荷振動耦合形成的新型準粒子狀態「電漿極化子(Plasmonic Polaron)」。熱電材料可利用溫度差直...
2026/04/15
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突破高溫限制，Pd氫氣透過膜實現100℃低溫高效率運作
田中貴金屬工業成功開發了一項在約100℃左右的低溫條件下仍具高氫氣透過性能的鈀(Pd)氫氣透過膜「HPM-L111」，並已開始提供樣品，預期可應用於氫氣感測器、燃料電池，以及真空設備中的氫氣去除等領域。
Pd氫氣透過膜是將具有吸氫與透氫特性的Pd合金製成薄膜的材料...
2026/04/15
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低成本光纖技術打造新型光濃縮系統，食品與環境檢測應用可期
大阪公立大學光誘導加速系統研究所(LAC-SYS)利用一種在光纖端面形成金屬薄膜的「光纖型光濃縮模組」，實現對細菌、微粒的高效率、高密度集積。此項技術利用集光雷射產生的光誘發力(Light-induced Forces)，以及雷射照射金屬超微細結構時所引發的光誘發對流(Light-induce...
2026/04/14
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