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小型高容量技術成為AI伺服器用MLCC策略
隨著GPU等元件的性能提升，AI伺服器的耗電量隨之增加，高速化也造成傳輸損耗的影響變大，元件數量的增加又同時壓縮了基板的空間。因此，用來穩定電源的去耦電容器，不僅必須提高容量，也需要因應小型化與高密度化的需求，隨AI資料中心的持續擴大，帶動了伺服器用多層陶瓷電容器(MLCC)的需求。日本國內有...
2026/10/19
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常溫硬化磷酸鋁膠結技術，無需燒成即可達成高強度
多木化學利用磷酸鋁與酸性鋁鹽以特定比例混合，開發出雙成分混合型磷酸鋁膠結材料技術。此種配方技術的產物可以在與傳統氧化鋁膠結材料不同的pH範圍下，在常溫下硬化。變更其硬化條件，更可以任意調控其成形硬度與形狀。利用此一技術，多木化學在常溫下混合其磷酸鋁產品「100L」與鹼式氯化鋁產品「Takibi...
2026/10/19
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CrSb晶體方位控制自旋轉矩，開拓次世代自旋電子元件
京都大學化學研究所與美國內布拉斯加大學林肯分校、NEC共同研究發現，交替磁性材料「銻化鉻(CrSb)」的自旋轉矩大小與方向會隨晶體方位改變，且此效應主要源自CrSb與鐵磁體體界面的晶體與界面對稱性。研究團隊以磁控濺鍍法製作可控制晶體方向的磊晶CrSb/鐵磁體異質結構，並加工為自旋轉矩鐵磁共振(...
2026/10/16
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SCSC高溫超導電纜，交流損耗降至預測值約1/10
京都大學開發高溫超導集合導體「SCSC電纜」與繞線技術，透過多細絲化與多層繞製，降低交流損耗並提升電纜的柔韌性與載流能力，可望應用於超導馬達及核融合發電所需的超導線圈。高溫超導線具有零電阻特性，可在高電流密度下傳輸電流，有助於馬達小型化、輕量化與節能，但傳統高溫超導線仍面臨交流損耗較大、柔韌性...
2026/10/16
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雷射局部退火破解高溫難題，矽光子光學隔離器實現單晶片整合
日本京瓷與東北大學電氣通信研究所開發出在矽光子電路上直接整合光學隔離器(Optical Isolator)的技術，利用雷射光實現局部熱處理的「雷射退火(Laser Annealing)」為全球首例。光學隔離器可抑制光電路中的反射光進入雷射光源，避免通訊品質下降。尤其在將半導體晶片與光學元件整合...
2026/10/15
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KH Neochem擴大EUV光阻高純度溶劑布局
日本KH Neochem積極佈局使用於半導體製造化學增幅型光阻(CAR)的高純度溶劑產品，除了長期主流的丙二醇(PG)系溶劑之外，也因應極紫外光(EUV)光阻材料多樣化，拓展酮類、酯類及有機酸等產品，期涵蓋光阻稀釋、顯影、蝕刻及剝離等製程。目前高純度溶劑主力為PMA-P（高純度丙二醇單甲醚醋酸...
2026/10/15
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Kuraray佈局半導體水資源循環與高效儲能材料
日本Kuraray積極拓展半導體與AI資料中心相關事業，推出中空纖維膜與活性碳等產品，藉此分別回應半導體製程的水資源循環以及AI資料中心的電力波動需求。在半導體領域，隨著氣候變遷、水資源短缺及半導體工廠集中設置，用水取得與再利用成為重要課題。Kuraray推出中空纖維膜模組「AQUAVICSU...
2026/10/14
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ALD-Al₂O₃實現無空洞晶圓接合，降低3D積體製程複雜度
橫濱國立大學與KOKUSAI ELECTRIC研究團隊發現以原子層沉積法(ALD)形成的氧化鋁(Al₂O₃)薄膜具有「自我活化」特性，可在無須事前電漿處理或化學機械研磨(CMP)的情況下實現直接接合，此項研究成果將可望簡化3D半導體的晶圓接合製程。3D積體技術透過垂直堆疊不同功能的晶片或晶圓，...
2026/10/14
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光異構化驅動界面切換，實現無殘膠剝離與基材回收
大阪大學與三重大學、山型大學、大阪工業大學組成的研究團隊從光響應致動器(Actuator)獲得啟發，以「界面切換」為核心，開發出可重複使用光響應黏著劑，可望藉此解決既有光響應黏著劑因內部凝聚力切換而容易在基材表面殘留、難以回收的問題。新黏著劑以甲基丙烯酸丁酯(Butyl Methacrylat...
2026/10/13
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350 nm高精度轉印與65 nm超穎光學，AR光波導量產技術突破
日本NTT Advanced Technology (NTT-AT)與奧地利奈米壓印微影(NIL)設備大廠EV Group (EVG)宣布，已驗證NTT-AT高折射率樹脂與EVG奈米壓印製程的組合，可應用於擴增實境(AR)光學元件光波導的量產，並具備量產所需的高圖案保真度、連續轉印性及耐環境性...
2026/10/13
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