最新技術發表

來自愛沃特的GaN on SiC/Si基板提案

3C-SiC的晶格常數接近GaN,因此可以在不發生裂紋的情況下生長高質量的GaN。此外,3C-SiC具有共價鍵合性,即使在元件過程中從邊緣出現裂紋,3C-SiC也會起到阻擋作用,因此,完全不會發生回熔蝕刻。另外,由3C-SiC實現的厚膜GaN結構結合低水平的炭摻雜,可同時實現高溫電流崩壞和高垂直耐受電壓。以及,從室溫到高溫都可穩定地實現良好的高頻特性 . . .

更多