從ALD/ALE 2026看原子層製程新趨勢：前驅物設計與區域選擇性沉積
ALD的核心為交替供應前驅物與共反應物，利用具飽和特性的表面反應控制每一循環的反應量。典型二元ALD如表一所示，前驅物A先與表面活性位進行化學吸附，反應飽和後吹除未反應分子與副產物，再導入共反應物B完成第二個半反應。重複此循環即可控制膜厚並提升高深寬比結構的覆形性。需注意的是，「Atomic Layer」不代表每循環必然沉積完整原子層，實際每循環成長量（Growth Per Cycle; GPC）仍受表面活性位、配體尺寸、立體障礙與初期成核等因素影響... [詳細]