朝向虛擬實驗室：基於代理模型的SiC晶體成長爐即時熱場模擬與數位轉型
碳化矽(Silicon Carbide; SiC)因具備高擊穿電場、高熱導率與高溫操作能力，已成為電動車、再生能源與高功率元件的重要材料，其單晶基板多仰賴物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport; PVT)生長。然而，PVT長晶爐內部環境高溫且密閉，製程過程如同黑盒子，難以直接觀測熱場與氣相分布，因此製程優化常需仰賴大量試誤與長時間模擬，研發效率受限。本文以COMSOL Multiphysics®建立SiC PVT長晶爐多物理場模型，聚焦電磁加熱、熱傳導、熱輻射... [詳細]