利用濺鍍法成功製作高品質ScAlN薄膜
東京理科大學研究團隊與東京大學、住友電氣工業合作，利用泛用性高的濺鍍法，成功製作出高品質的鈧鋁氮化物(ScAlN)薄膜。ScAlN具有高壓電係數、自發極化，以及鐵電性等特性。在以GaN (氮化鎵)為基礎的高電子遷移率電晶體(HEMT)障壁材料，以及採用鐵電閘極的鐵電場效應電晶體等用途中受到矚目。以往在GaN上製作ScAlN薄膜時，主要採用分子束磊晶(MBE)法與有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)法，雖然能獲得高結晶性與優異的二維電子氣(2DEG)密度... [詳細]