功率半導體之高導熱陶瓷基板材料技術與應用發展
隨著碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第三代半導體技術的快速發展，電力電子、新能源車及航太產業應用對高功率模組的散熱效能與可靠度要求日益嚴苛。傳統氧化鋁(Al₂O₃)基板導熱效能受限，而高導熱的氮化鋁(AlN)則因斷裂韌性較差，在嚴苛熱循環條件下易產生微裂紋，進而使電路失效。為突破此散熱與可靠度的雙重瓶頸，兼具高熱傳導率與優異機械強度的氮化矽(Si₃N₄)陶瓷，成為先進功率封裝基板備受矚目的關鍵材料。當前製程技術因聚焦於提升晶格純度、優化微觀結構與改... [詳細]