OCCC結晶生長技術實現3.5吋氧化鎵單晶，可望加速次世代功率元件發展
日本東北大學衍生新創公司FOX、C&A以及東北大學、三重大學組成的研究團隊，成功利用自主開發的冷坩堝氧化物(Oxide Crystal growth from Cold Crucible; OCCC)結晶生長法製作出直徑3.5吋的氧化鎵(Ga₂O₃)單晶。此項技術無須使用昂貴的銥(Ir)坩堝與加熱元件，可望大幅降低製造成本並提升結晶品質，促進氧化鎵功率半導體的商業化。氧化鎵因具有超寬能隙特性，相較矽(Si)可望提升約3,400倍、相較碳化矽(SiC)約10倍的節能效益... [詳細]