東京大學與NTT開發超低損耗AlN系蕭特基二極體並成功實證
東京大學與NTT開發出一項低損耗氮化鋁系(AlN)蕭特基能障二極體(Schottky Barrier Diode; SBD)，並成功進行了運作實證。此元件在AlN系器件中創下世界最低紀錄，實現導通電阻0.34 mΩ·cm²、逆向耐壓400 V、最大破壞電場約8 MV/cm的成果，其性能已逼近碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率元件的理論極限，被視為超寬能隙半導體在功率電子應用上的重要突破。氮化鋁屬於超寬能隙半導體材料，能隙能量達6.0 eV，具有極高的絕緣破壞電場特性。因此若應用於電動車... [詳細]