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半絕緣碳化矽晶圓發展現況

高頻用寬能隙半絕緣碳化矽晶圓具備高功率、耐高壓、耐高溫等特性,隨著毫米波通訊及5G相關產業起飛,受到世界各國政府與產業界的廣泛關注和高度重視,成為增長潛力巨大的戰略性產業。高頻/高功率放大器元件需具備SiC、GaN等寬能隙材料技術,將帶動另一波產業成長動能。其中半絕緣性SiC晶圓單價高昂且為戰略管制品,為各國亟需開發之關鍵基板材料。本文將針對半絕緣碳化矽晶圓之市場、應用、技術困難點及國內之產業現況提供一完整之報告。有鑑於SiC單晶晶圓為...... [詳細]

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