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氮化鎵異質磊晶技術

氮化鎵(GaN)以其高電子遷移率、寬能隙與高崩潰電場，成為新世代功率與射頻半導體的核心材料。由於單晶GaN成長困難且成本高昂，目前主流技術為異質磊晶，將GaN成長於Si、SiC、QST®等基板上，以兼顧成本與性能。不同基板各具優缺點：Si成本最低但散熱差；SiC熱導率佳，適合高功率；QST®可突破厚膜限制，支撐超高壓應用；AlN與GaN單晶則定位於高階利基市場。異質磊晶的挑戰主要在晶格失配與熱膨脹係數差異，需透過緩衝層設計與複合基板工程來解決... [詳細]

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