日本信越化學工業實現了氮化鎵(GaN)結晶生長用複合材料基板「QST基板」的大型化，成功地將基板直徑擴大至300 mm(12吋)。透過擴大QST基板的產品項目，將可望大幅加速GaN功率半導體元件的普及。目前信越化學工業已展開商業樣品供應，今後將進一步推動直徑300 mm之QST基板的量產化。
QST基板是信越化學工業重點投入的次世代功率半導體材料。QST基板由複合材料構成，核心層的氮化鋁具有與GaN相同水準之熱膨脹係數，藉此抑制了在矽晶圓上生長GaN時所面臨的磊晶層翹曲、裂縫等問題。
過往信越化學工業已經推出了直徑150 mm(6吋)與200 mm(8吋)的QST基板與GaN on QST磊晶基板，此次信越化學工業進一步開發出30 mm製品，成功地實現大直徑化，可望大幅降低GaN功率半導體基板的製造成本。
資料來源：https://www.shinetsu.co.jp/jp/news/news-release/%e4%bf%a1%e8%b6%8a%
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