Dow TORAY開發了一項可應用於氟系樹脂的後熟化型(Post-cure)熱熔接著薄膜。由於該材料即使在大幅變化的溫度環境下，也能維持接著強度與延展性，因此特別適合使用於應力緩和等機能性用途。因應半導體封裝周邊因材料間熱膨脹係數(CTE)差異造成的翹曲問題，新薄膜可望應用於低翹曲對策。今後Dow TORAY計畫擴大樣品供應量，加速邁向量產與產品化。
此次開發的矽氧樹脂系(Silicone)熱熔接著薄膜，原本是作為電子材料製程用離型膜而開發，但因其具備優異的乙烯–四氟乙烯共聚樹脂(ETFE)接著性，反向利用此一特性重新設計矽氧樹脂的分子結構，成功製作出原型產品，並計畫以單片薄膜等型態上市。
開發品在經加熱熔融後，可透過再次加熱或紫外線(UV)進行硬化。熔融狀態下具高流動性，可滲入具有複雜凹凸的基材表面。測試顯示，可與多種材料接著，包括聚苯硫醚(PPS)等工程塑膠、各類含氟樹脂以及鎳、金等金屬基材。此外，除矽氧樹脂原有的耐高溫（可耐受至200℃）特性之外，也確認在-25℃的低溫環境下仍能維持接著強度。
開發品的主要目標應用為半導體封裝的低翹曲對策用途，目前已確認可接著聚醯亞胺(PI)與矽氧橡膠(Silicone Rubber)此類CTE差異大的異質材料。
另一方面，面板級封裝(PLP)比晶圓更容易受熱膨脹影響，因此也是開發品的目標應用領域，潛在應用包括切割膠帶、其他臨時固定材料等用途。Dow TORAY也計劃將其用於基板密封用途，可使用於壓縮成型或真空壓合(Vacuum Lamination)製程。在此類用途中，採用UV硬化型的後熟化形態最具可行性。一般而言，矽氧樹脂若用於密封材料，由於硬化成形後難以再進行接著，因此須以液態形式灌封(Potting)。但若夾入本次開發的薄膜，則能實現成形後的後續接著，大幅拓展製程彈性。