日本DIC與太陽Holdings合作開發「對應高頻電路形成用新型種晶層薄膜(Seed-Layer)」，並可望於近期實用化，最大特徵是界面高度平滑沒有凹凸，可大幅抑制訊號傳送損失。
既有的減成法(Subtractive)會造成銅箔界面凹凸，又難以進行細間距封裝。半加成法(mSAP)可改善上述缺點，但密著性、耐熱性及製程中電路受削減等方面仍有課題需要解決。
而新開發品克服了上述課題，其構造是在薄膜基材上塗上高分子密合層，再塗佈金屬奈米層。關鍵技術的高分子密著層配合了薄膜機材進行設計，金屬奈米粒子的官能基產生反應，促使高分子密著層與奈米金屬層高度密著。之後可全面電鍍後再蝕刻形成電路圖形，亦可如同mSAP法先做出電路圖形再電鍍上去。
相較於mSAP法，新開發品可以選擇只除去金屬奈米種晶層，留下符合設計預定數據的電路，容易處理細間距封裝。也因為電路不受蝕刻影響、銅電路四邊的斷面平滑，可大幅抑制訊號傳送損失。
兩家公司有意在今年度內達到實用化，期取代既有mSAP法。目前在軟性電路板(FPC)領域好評日增，且可應用於具有對應高頻需求之硬質電路板用途，未來可望成為5G時代不可或缺技術。