日產化學開發了新型光阻下層膜材料。在極紫外線(EUV)下層膜方面，確立了透過塗佈製程形成約1奈米超薄膜的技術，可因應高數值孔徑(NA)EUV曝光設備中光阻膜厚度縮減的需求，實現極薄化EUV下層膜。另在多層材料方面，開發了以電漿照射於旋塗碳膜(Spin on Carbon; SOC)以強化膜層的技術，可提升蝕刻耐受性，形成堅固的薄膜，有效防止微細圖案的倒塌或變形。
日產化學的事業涵蓋微影製程中的反射防止膜、EUV下層膜，以及矽硬遮罩(Si-HM)與SOC等多層材料。反射防止膜與EUV下層膜已居全球市場領先地位，多層材料方面亦位列主要供應商之一。由於下層膜與光阻的相容性極為重要，一般須與光阻廠商搭配提供。日產化學憑藉與各光阻廠合作的優勢，在市場中展現強大存在感。
為因應先進微影技術，日產化學開發2種新材料。隨著EUV曝光設備由目前的NA 0.33逐步轉向高NA 0.55，光阻膜厚將由約30奈米縮減至原先的3分之1，對應的EUV下層膜也必須進一步薄膜化。日產化學的新技術可在塗佈後，材料與基板表面發生化學反應，並透過溶劑洗去多餘部分，最終形成1奈米薄膜。與原子層沉積法(ALD)等乾式製程不同，此項技術能以塗佈的濕式製程實現緻密薄膜。
另在SOC領域，日產化學與設備廠商合作，開發出透過電漿照射提升膜密度的技術。隨著線寬微細化與高深寬比結構增加，圖案倒塌與變形問題日益嚴重。新型SOC具有優異的蝕刻耐受性，能有效防止結構崩壞，同時維持所需的平坦性與填充性。日產化學計畫將此項技術定位為高性能次世代SOC技術，並強化相關應用提案。