金屬配位ALD前驅物
■ 技術特點
▶ 奈米尺度下 Ru 電阻較 Cu 低，未來在先進製程中具有取代 Cu 線路之極大潛力
▶ Ru 線路在膜層中不易擴散，不須阻隔層
▶ 開發了一系列 Ru ALD 前驅物可搭配 ALD 設備進行薄膜沉積
▶ 設計一結構，利用配位基改質技術，使配位基能穩定存在
▶ 在分子量大小與立體障礙上取得平衡，得到一低沸點、低汽化溫度 Ru ALD 前驅物，目前材料
■ 金屬電性比較
■ 應用載具
■ 技術應用
▶ 半導體先進製程
▶ 光電材料
ALD製程鍍膜
■ 創新特色
▶ 被在半導體微型化趨勢情況下，ALD 製程的優勢更被凸顯。ALD 製程因能於高深寬比材料上沉積高均勻度奈米級薄膜而越發重要
▶ 原先應用於成熟製程的材料在先進製程開始出現問題，使本就掌握在國外大廠的 ALD 前驅物合成技術更難被本土廠商追上
▶ 本團隊主要開發 5nm 製程以下之金屬、鈍化層、high-k 介電層、高電子遷移薄膜、TGV 製程用膜材等原子層沉積 (ALD) 前驅物合成與鍍膜技術
▶ 不只做材料，在合成出相關 ALD 前驅物後也能以電漿輔助原子層沉積 (PEALD) 設備進行低溫製程
▶ 於高深寬比基材進行氧化鋁 (Al2O3)、氮化鋁 (AlN) 以及氮化矽 (SiN) 鍍膜，可達到阻水阻氣之封裝效果
■ 產業效益
▶ 2025 年 ALD 前驅物市場約 19 億美金，且年成長率 9%，高介電薄膜用前驅物與高深寬比基板用前驅物又是其中成長最迅速的項目
▶ 建立本土 ALD 前驅物材料自主合成技術
■ 技術應用
▶ 半導體元件、光電材料元件之阻水阻氣層 (Al2O3、AlN、GaN、SiO2、SiN)、高電子遷移率薄膜 (MOx)等
工研院材化所 L500 有機金屬材料合成與先進鍍膜製程研究室