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碳化矽粉體試量產技術

碳化矽(SiC)作為第三代寬能隙化合物半導體材料，因具備高熱導率、高擊穿場強及耐高溫等特性，廣泛應用於新能源車、5G及高壓功率元件。為滿足高品質SiC單晶生長需求，高純度碳化矽粉體的製備與穩定量產至關重要。碳化矽粉體的製程技術歷經百年演進，從早期Acheson法到1955年Lely昇華法，再到1978年改良Lely法（PVT法），粉體純度與晶體品質逐步提升。然而，單晶品質與原料純度呈線性相關，且粉體粒徑與物相穩定性將直接影響晶體缺陷，因...... [詳細]

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