日本豐田合成於日前發表，其為氮化鎵(GaN)功率半導體開發的GaN基板高品質化技術已經過驗證將可提高功率半導體性能。
豐田合成致力於GaN基板高品質化的技術開發，透過在大型爐內將GaN微結晶排列於藍寶石基板上，並透過溫度控制或攪拌技術，實現均勻的結晶體生長並抑制雜質。
此次研究的成果之一即是利用與大阪大學共同開發的種晶製作了GaN基板，在該基板上製作了功率半導體元並調查了其運作性能。經實證確認，與使用市售基板相比，可提高電力控制性能且提升元件製造時的良率。
豐田合成利用市售基板與新開發的基板製作了大約20個元件，並比較其主要性能。結果顯示漂移層(電壓保持層)中的載子濃度(電子濃度)的面內變化較小，可抑制多個元件之導通電阻的誤差波動，推估是由於基板具有良好的平整度。此外，相對於市售基板的漏電流(漏電傳導)良率僅32%，新基板則提升至72%。