日本太陽控股公司(Taiyo Holdings)在與比利時微電子研究中心imec的共同研究中，成功利用次世代半導體封裝材料「FPIM系列」在直徑12吋(300 mm)晶圓上形成關鍵尺寸(Critical Dimension) 1.6 µm的3層重配線層(RDL)結構。在先進半導體封裝領域中，為提升電氣連接效率，RDL已成為不可或缺的技術。imec指出，當配線間距縮小至1.6 µm以下時，現行的「半加成製程(SAP)」已難以因應，轉而需要採用「鑲嵌製程(Damascene Process)」。
太陽控股基於此需求，開發出專用於鑲嵌製程、適用微細間距RDL的負型感光性絕緣材料「FPIM系列」。自2022年起，該公司即與imec展開合作研究，此次成功在300 mm晶圓上形成3層RDL結構並完成性能評估。
晶圓上各層的配線設計為RDL1層：CD 1.6 µm；Via層：CD 2.0 µm（中心間距CD 4.0 µm）；RDL2層：CD 1.6 µm，均達成預定目標尺寸。據太陽控股表示，這些結構尺寸已接近此次使用之低數值孔徑(Low NA)步進式曝光機的解析極限。此外，RDL1層於CD 1.6 µm下的漏電流與電阻等電氣特性也呈現良好表現。
目前太陽控股已開始少量供應研發用途之FPIM系列材料樣品，今後將進一步投入在晶圓形成CD 500 nm以下更微細之RDL製程技術開發，並持續推動AI半導體高性能化之新材料開發。