日本富士軟片(Fujifilm)成功開發出完全不含全氟/多氟烷基物質(PFAS)之負型氟化氬(ArF)浸液式光阻材料(Resist)。一般而言，為了提升酸產生效率與防止因水殘留造成的缺陷，通常會添加具撥水性的PFAS成分。但Fujifilm透過先進的分子設計技術與材料解析技術，成功實現了PFAS-free。
此次開發的PFAS-free ArF浸液式光阻材料已與比利時半導體研發機構imec進行性能驗證，確認能以高良率形成28 nm世代的金屬配線。今後Fujifilm也計畫在極紫外線(EUV)等先進光阻材料領域推動「去PFAS化」。此外，Fujifilm於半導體材料事業說明會中對外說明全球化戰略，其中將印度市場列為重要的未來目標之一。Fujifilm計劃在印度與東南亞國協(ASEAN)為中心構築供應鏈體系，提供一站式解決方案(One-stop Solution)。
為加速全球業務拓展，Fujifilm也計畫在2030會計年度，將半導體材料事業營收提升至2024年度（2,504億日圓）的2倍，達到5,000億日圓的目標。其中，在其擅長的負型光阻材料領域，預計將市占率由目前的8%提升至的20%（2030年度）。同時，Fujifilm也積極投入後段製程材料開發，例如再配線層(RDL)與導熱材料(TIM)，並設定2030年度達成較2024年度成長940%的營收目標。