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化合物半導體材料晶體生長技術(上)

化合物半導體晶體生長技術可分為體積晶體生長與薄膜磊晶兩大類。體積生長中，布里奇曼法與梯度凝固法因低溫度梯度(1~10 ˚C/cm)可製備低位錯密度晶體為主流技術；柴可拉斯基法雖常用於Ⅲ-Ⅴ材料，但位錯密度較高；而PVT法常用於碳化矽(SiC)晶體昇華生長，另有THM與助熔劑法等。薄膜磊晶則包括液相磊晶(LPE)、氣相磊晶（如：CVT、CVD、MOCVD、HVPE）及分子束磊晶(MBE)，廣泛應用於高品質GaN與AlN等材料製程。各種技術...... [詳細]

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