日本奧野製藥工業開發了一項利用玻璃為基材之玻璃基板(Glass Core)與玻璃中介層(Glass Interposer)的新型鍍膜製程。此項技術利用氧化鋅做為金屬氧化物中間層，成功透過無電解銅電鍍在平滑的玻璃基板上形成高附著性的銅薄膜。由於實現了優異的抗遷移特性，故可維持微細圖案的絕緣特性。此外，透過良好的通孔鍍膜技術，將能適用於大型、高縱橫比的玻璃基板。新技術確保了次世代半導體材料的實用性能，今後奧野製藥工業將以採用於玻璃基板用途為首要目標展開推廣。
玻璃因其平滑的表面形狀、熱穩定性、電氣絕緣性及透明性等特性，可望成為因應高性能化與大型化發展的半導體封裝基材而備受關注。新開發的鍍膜製程「TORIZING Process」可在不損害玻璃平滑性的情況下，透過無電解鍍膜技術形成高附著性的金屬薄膜。此項製程採用讓金屬氧化物均勻沉積於基板上的化學製膜法，其特點在於使用氧化鋅。奧野製藥工業透過對氧化鋅的分布與結構進行精確控制，在玻璃基板上實現了高附著性。
處理製程方面，首先進行脫脂處理，再經過形成觸媒製程後，於基板上形成金屬氧化物層。接著進行熱處理，隨後施加無電解銅鍍膜，再次進行熱處理。此外，在硫酸銅鍍膜後，經過300°C以上的高溫熱處理，可大幅提升剝離強度。除了能在無鹼玻璃或硼矽酸鹽玻璃等玻璃基板上實現高附著性的鍍膜之外，亦展現出優異的表面電阻率。另可適用於量產尺寸515×510 mm的處理。
利用「TORIZING Process」可實現半導體封裝等級的微細圖案，達到線寬/間距(L/S)= 5/5 μm的精度。此外，為了達成玻璃中介層實用化所需的L/S = 2/2 μm，奧野製藥工業將持續推動性能與品質的進一步改良。
奧野製藥工業積極投入次世代半導體封裝相關最新表面處理藥劑與表面處理製程的開發，目前也已開發出適用於玻璃基板通孔填充的硫酸銅鍍膜添加劑「Topluchina GCS系列」，並展開了推廣應用活動。此外，奧野製藥工業計劃於2025年底在其研發設施內導入玻璃專用鍍膜設備，以推動玻璃基板相關產品的開發，進一步擴展次世代半導體領域的事業佈局。