神戶大學發表可利用陽光亦可在夜間發電之熱輻射發電元件構造
日本神戶大學發表了一項研究成果，透過在半導體的能隙中導入新的中間能帶，開發出一種在白天能夠利用太陽光、在夜間或高溫環境中則可利用熱輻射進行發電的新型熱輻射發電元件。在一般半導體中，電子無法存在於價電帶與導電帶之間的能隙中。但若利用半導體的量子結構或雜質等在能隙中形成能階，以做為中間能帶，則可以透過熱輻射或光吸收利用低於能隙能量的能量遷移。神戶大學針對高溫下亦可運作、導入中間能帶結構的熱輻射發電元件進行研究，解析了其發電特性，並確認透過導...... [詳細]