美國明尼蘇達大學(University of Minnesota)開發了一項適用於次世代功率電子、光電元件等用途之高速、高效率的透明半導體材料。
目前半導體幾乎為所有的電子產品提供了動力，而在新半導體材料領域，「超寬能隙(Ultra-Wide Band Gap；UWBG)」漸受矚目，明尼蘇達大學即著眼於新UWBG材料類的SrSnO3，並開發出薄膜異質積層結構的SrSnO3/La:SrSnO3/GdScO3(110)。
研究團隊經過反復的薄膜堆疊實驗與詳細的電子顯微鏡觀察，投入於消除材料中的缺陷，並成功獲得了可發揮高導電性的無缺陷積層結構。新材料在具有1018～1020 cm-3的電荷密度與室溫下40～140 cm2V-1s-1的電荷遷移率。此外，由於其原子級薄膜結構，已證實對於波長300 nm的深紫外光展現出85%的光學透明性。
新型UWBG材料在高電壓、高溫下表現出高性能且具耐久性，將可望藉此促進在嚴苛環境下運作之次世代高功率電子元件、深紫外線領域之光電元件等的開發。