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產總研等發現新電極材料，可降低Ge半導體電子流動阻礙

日本產業技術綜合研究所(AIST)與東北大學發現了一項與鍺(Ge)半導體具有極佳適合性的電極材料–碲化鉍(Bi2Te3)。n型Ge與電極的高接觸電阻是次世代Ge半導體實用化面臨的課題，而碲化鉍成功讓阻礙電子流動的「能量障壁」降到既往最低值的一半。今後研究團隊將以新材料試作電晶體並驗證成效。此次研究團隊將碲化鉍在Ge的上方形成薄膜並以400℃加熱，成功製作出平滑的界面。由於Ge的最表面層排列了碲(Te)的1原子層... [詳細]

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