金屬陽極氧化處理技術與半導體設備零件應用

 

刊登日期:2025/8/5
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王正全、顏佳瑩、呂春福 / 工研院材化所
 
金屬表面陽極氧化層處理可以提升金屬材料的耐用性、耐腐蝕性和美觀性,廣泛應用於半導體、汽車、航太、建築及生醫等領域。本文介紹常見金屬如鋁合金、鈦合金及不鏽鋼材料的陽極氧化處理技術與機制;同時介紹鋁合金陽極氧化處理,可以經由不同製程參數控制,應用在不同半導體製程設備中,例如在電漿製程設備的應用。
 
【內文精選】
金屬陽極氧化技術說明
3. 鐵基金屬材料表面陽極氧化成膜機制
鐵陽極氧化通常在氟基電解液(主要是NH4F和NaF)和有機溶劑(主要是乙二醇和甘油)中進行,在無氟電解液(例如二甲基亞碸)中進行陽極氧化,其中氧氣的析出是造成孔隙產生的主要因素,從而形成緻密且異質的氧化鐵層,其厚度和均勻性有限。無論陽極氧化處理方式(恆電位和恆電流)為何,電解液中氟離子(F-)的存在都會促進氧化物生長過程中自取向奈米管陣列的形成。現有關於鐵陽極氧化處理中氧化鐵形成機制的文獻相當稀少,且多孔陽極氧化膜的生長機制仍有爭議,目前以電場輔助溶解模型(Field-assisted Dissolution Model)是最常被引用的。根據該理論,奈米結構陽極氧化層的形成主要由三個過程組成:①金屬/氧化物界面處的電場輔助氧化導致氧化物生長;②氧化物/電解質界面處的電場輔助陽極膜溶解;③主要由F-離子引起的氧化物的化學溶解。
 
鋁合金陽極處理在半導體設備上之應用
為了延長腔體的使用壽命並提高晶片產量,因此在鋁製腔體被覆保護性陽極氧化鋁層、大氣電漿噴塗Y2O3、YOF和YF3等塗層。在現有的方法中,陽極氧化鋁因其優異的耐腐蝕性和低成本而被廣泛用於腔體塗層,它由多孔外層和緻密內層(阻擋層)組成,當氧化鋁層和鋁基板之間的界面處阻擋層較薄且有缺陷時,鹵素氣體和酸性溶液可以直接穿透多孔層,因此,僅靠原始陽極氧化鋁不足以保護鋁製腔體零件,需進行封孔後處理,對於填充氧化鋁層微孔,顯著提高其耐腐蝕性能至關重要。最常見的封孔方法有熱水封孔(Hot Water Sealing)、金屬鹽封孔(Metal Salt Sealing)和蒸汽封孔(Steam Sealing)(如圖九所示)。
 
圖九、鋁陽極氧化處理封孔示意圖,(a) Unsealed Anodized Aluminum;(b) Sealed AnodizedAluminum
圖九、鋁陽極氧化處理封孔示意圖,(a) Unsealed Anodized Aluminum;(b) Sealed AnodizedAluminum
 
工研院材化所鋁合金陽極氧化處理技術
工研院材料與化工研究所在鋁合金陽極氧化處理技術開發上,具備控制鍍層厚度與孔徑大小的能量,可應用在光學、蝕刻遮罩、感測器、散熱、金屬奈米線、電漿蝕刻設備中氣體分配板的處理,調整製程參數與配方,達到陽極處理膜層硬度>450 Hv、厚度>60 μm。技術成果如下:①使用高純度鋁基材採用二步驟程序,製作出有序且均勻之結構,並可控制孔徑,如圖十所示---以上為部分節錄資料,完整內容請見下方附檔。
 
圖十、鋁陽極氧化處理不同孔徑處理結果
圖十、鋁陽極氧化處理不同孔徑處理結果
 
★本文節錄自《工業材料雜誌》464期,更多資料請見下方附檔。

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