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原子層沉積之應用與未來發展趨勢

隨著半導體元件尺寸持續微縮與奈米科技的進步，原子層沉積(ALD)技術因其卓越的薄膜控制能力，逐漸成為半導體先進製程中不可或缺的關鍵技術。ALD技術能精確地以原子層級堆疊材料，並在複雜的三維結構上形成均勻的薄膜。這使得它廣泛應用於高介電閘極材料、金屬導線、記憶體元件等領域。此外，透過ALD自限性反應特性，可達到傳統化學氣相沉積(CVD)技術難以企及的精準度與均勻性，使ALD成為現今12吋矽晶圓及鰭式場效電晶體(FinFET)製程中極為仰賴...... [詳細]

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