東芝開發出可大幅提高功率密度之「樹脂絕緣型SiC功率半導體模組」
日本東芝開發了一款可大幅提升功率密度的「樹脂絕緣型碳化矽(SiC)功率半導體模組」。該模組採用了東芝自有的小面積晶片分散配置設計技術，以及運用人工智慧(AI)的設計最佳化技術，成功試作出樹脂絕緣型SiC功率模組。實驗結果顯示，相較於既有陶瓷絕緣型SiC功率模組，其熱阻降低了21%。此外，經過試算可知，若將新開發的模組應用於一般逆變器中，冷卻系統的尺寸可減少達61%，可望有助於電力轉換器的小型化，進而降低設置空間與成本。新開發的模組將搭載...... [詳細]