粒徑100 nm銅粉可望取代銀粉，成為新一代半導體接合材料
目前逐步實現量產的SiC以及研究開發持續推進的氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體，由於高電壓與大電流驅動，其工作溫度往往超過200℃。因此接合材料必須具備優異的熱安定性與散熱性，目前主要使用由銀粉與溶劑混合而成的材料。相較之下，銅類接合材料雖具有高於銀的熔點與導熱率，並能降低成本，但因易於氧化、在大氣中難以處理的特性，故仍有技術課題待解決。住友金屬鑛山開發的耐氧化奈米銅粉不僅在大氣環境下容易操作，且具備約在200℃即可展開燒結的低溫燒結...... [詳細]