《工業材料雜誌》9月刊「化合物半導體晶體技術及應用」與「快速充電鋰電池技術」專題以及「太陽光電技術」特別報導
全球高科技產業快速發展，半導體材料正面臨性能瓶頸與應用需求的雙重挑戰。第三代寬能隙化合物半導體材料，如碳化矽、氮化鎵、氮化鋁及氧化鎵，因具備高熱導率、高擊穿場強、高電子遷移率及耐高溫等優異特性，已成為新能源車、5G/6G通訊、工業電源及再生能源等關鍵領域的重要支撐技術。在眾多材料中，碳化矽市場需求持續攀升，高純度、低缺陷且物性穩定的粉體開發已成為全球研究焦點。而化合物半導體晶體生長技術無論是體積生長或薄膜磊晶，各種方法皆需精確控制化學計...... [詳細]