日本Toyo Aluminium積極推動以新工法製造矽鍺半導體(SiGe)基板的大型化，近來發表開發出300 mm(12吋)晶圓。
新工法由Toyo Aluminium與大阪大學、名古屋大學共同開發而成，係以Toyo Aluminium開發的鋁鍺合金漿料在矽基板上進行網版印刷，並經過熱處理後形成SiGe混晶層。透過將表面沉積的鋁殘留物進行化學處理(蝕刻)，可以形成厚度約10 μm的SiGe薄膜混晶層。藉由印刷製程可實現大面積化，因此可製造2吋(50 mm)～12吋晶圓的基板。由於不需要真空設備，因此預期可以降低製造成本。
Toyo Aluminium也以網版印刷製成的12吋晶圓製作了SiGe/Si二極體元件，並確認可製作出400 μm圖案(約23萬個晶片)、300 μm圖案(約35萬個晶片)、200 μm圖案(約57萬個晶片)及100 μm圖案(約113萬個晶片)。Toyo Aluminium計畫在2025年度內達到產品商業化的目標。