Toray開發了一項業界第一個在矽基板上裝設矽光子學所使用之光學半導體的巨量轉移(Mass Transfer)技術。Toray以其Micro-LED轉移技術應用於光學半導體封裝。以使用一般覆晶封裝(Flip Chip Bonding)而言，光半導體的封裝速度每分鐘僅約4個，但透過新開發的巨量技術，封裝速度可大幅提高至每分鐘6,000個。
與一般Micro-LED相比，磷化銦系(InP)的光學半導體具有更大的面積與更薄的厚度。Toray則開發了具有優異抗衝擊性的轉移材料，可將此類容易損壞的光學半導體以雷射轉移。此外，Toray應用多年來累積的耐熱性高分子設計技術與黏合性控制技術，開發了一種新型承接材料(Catch Materials)，兼具耐熱性、耐藥品性等特性，封裝後的離型性亦十分優異。
轉移材料、承接材料採用了聚醯亞胺(PI)類材料。TORAY也與旗下TORAY ENGINEERING利用新開發的材料，進一步開發了從雷射轉移到直接接合於矽基板上的一系列製程。目前已實證確認接合後的位置精度在 ±2μm以內，旋轉偏差在±1°以內。今後Toray將推動晶片運作、實際設備應用等驗證，並計畫在2025年實現技術的確立，期儘早達到量產之目標。此項技術亦可望應用於光半導體以外的領域，橫向擴展至其他晶片應用。