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GaN高功率元件的挑戰(上)

GaN-基元件相較於傳統矽-基元件，如 MOSFET等，擁有更高的崩潰電壓、功率密度及電子遷移率，而且GaN 的能隙為3.4 eV，遠高於矽的 1.1 eV，使其可以在更高的電壓進行高效的功率轉換，這些特性都顯示GaN-基元件於電力電子及高頻RF的應用將有更大的優勢。又若整合GaN -基功率元件與CMOS於一系統，則透過GaN -基元件高效的功率應用以及CMOS良好的控制與邏輯能力，將可實現最佳的功率效率，這對功率放大器、功率轉換器和電...... [詳細]

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