奈良先端科學技術大學等開發出GAA型氧化物半導體電晶體
奈良先端科學技術大學與東京大學成功開發出一項「環繞式閘極(GAA)」結構的氧化物半導體電晶體，且開發出以化學氣相沉積法之一的原子層沉積法將氧化物半導體予以結晶化的技術，實現了電晶體的高性能化與高可靠性，可望有助於推動半導體朝向高集積化與高機能化發展。目前氧化物半導體電晶體主要應用於平面顯示器等領域。由於氧化物半導體可在低溫下製造，因此在半導體積體電路上的應用備受期待。然而，若要將其應用於積體電路電晶體，實現微細化是必要條件。而既有的非晶...... [詳細]