隨著半導體元件尺寸持續微縮與奈米科技的進步，原子層沉積(ALD)技術因其卓越的薄膜控制能力，逐漸成為半導體先進製程中不可或缺的關鍵技術。ALD技術能精確地以原子層級堆疊材料

無法正常瀏覽內容，請點選此線上閱讀         2025. 8 .20出刊   取消訂閱   【工業材料雜誌】原子層沉積之應用與未來發展趨勢 【材料News】輕如空氣的碳系多孔質材料，促航太構件與次世代移動工具輕量化 【研討會】日本5G毫米波的高頻基板，低介電設計與開發實例解析       原子層沉積之應用與未來發展趨勢 隨著半導體元件尺寸持續微縮與奈米科技的進步，原子層沉積(ALD)技術因其卓越的薄膜控制能力，逐漸成為半導體先進製程中不可或缺的關鍵技術。ALD技術能精確地以原子層級堆疊材料，並在複雜的三維結構上形成均勻的薄膜。這使得它廣泛應用於高介電閘極材料、金屬導線、記憶體元件等領域。此外，透過ALD自限性反應特性，可達到傳統化學氣相沉積(CVD)技術難以企及的精準度與均勻性，使ALD成為現今12吋矽晶圓及鰭式場效電晶體(FinFET)製程中極為仰賴之奈米超薄膜(Ultrathin Film)沉積技術。ALD製程不僅能精準控制薄膜厚度於原子級尺度，亦能在高深寬比結構上實現大面積均勻覆膜。本文將探討ALD技術的發展 ---《本文節錄自「工業材料雜誌」464期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》          利用昆蟲異物代謝機制合成奈米碳新材料  輕如空氣的碳系多孔質材料，促航太構件與次世代移動工具輕量化  從二氧化碳到丙烷，調控光強變化實現多段產物選擇  筑波大學解明錫系鈣鈦礦太陽電池高效率化機制  覆蓋1T~1,200THz之超寬頻光吸收材料，吸收率達98%以上  Resonac以廢棄矽污泥與CO2為原料，開發製造碳化矽粉之新技術  不含乳化劑與氟系溶劑，AGC新製程FFKM展現高差異化競爭力  無需CMP與電漿處理，以新型接合膜進行300 mm晶圓接合        漏水智慧監測技術  AI伺服器用浸沒式冷卻液技術  NaPoGlass-吸放自如的高效能金屬離子捕捉材  金屬配位ALD前驅物 & ALD製程鍍膜  低溫型高解析PSPI & DUV光阻驗證平台  檢測分析全方位問題解決方案  材料數位設計與碳盤查服務平台 & 有限元素法模擬元件機構與參數最佳化設計技術  電鏡技術開發與應用研究室        組織修復再生醫材開發研習班   Altair CAE工程模擬 x 人工智慧整合應用研討會   免費！  日本厚膜光阻與RDL形成製程   為何高品質精密塗布，離不開乾燥工序的正確理解？   日本5G毫米波的高頻基板，低介電設計與開發實例解析   低軌衛星規格與一般電子設備的區別   日本TGV玻璃鑽孔3μm直徑 (FOPLP先進關鍵製程)   日本低介電環氧樹脂、載板黏著薄膜、FPC高絕緣可靠性   日本如何防止Si晶圓表面污染源？   日本專家揭開材料表面秘密：接觸角與濕潤性對科技應用的關鍵影響   電路板高頻化所需PI、LCP、聚烯烴   TGV與Glass Core之玻璃專題系列   電子報內容均屬於「材料世界網」所有，禁止轉載或節錄。 若您對電子報有任何意見，歡迎指教。材料世界網首頁 │會員中心 │聯絡我們│廣告業務 │訂閱│推薦訂閱 │取消訂閱