日本如何防止Si晶圓表面污染源?  

時間:2025/06/13~10/31
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  04/11(五)
09:30-16:30
科學方法,杜絕污染源! 【日本SONY研究員退役專家】
如何防止Si晶圓表面污染的超清潔化技術?
影響半導體元件良率和可靠性的污染源,顆粒、金屬雜質、表面吸附的化學污染(無機/有機)等各種微小污染物,可能來自於製程每一個環節。
突破5奈米,迎來3至2奈米時代,未來「如何測量、預防和去除」以往未曾關注的奈米粒子將成為一個重大挑戰。此外,在影像感測器領域,「金屬污染的降低減少」成為最大課題。超清潔化技術一直以來被視為企業內部的專有技術,但從半導體製造的核心,半導體表面清潔化的角度來看,現在需要採取一種科學的研究方法來解決這一問題。
  1-4利用「Chiplet」提高良率
  2-9 熱點話題:無塵室革命—三原SCR或許不再需要
  三、半導體表面清潔化的方法 (如何防止污染?)
  3-9 熱點話題:FOUP內部環境分析
  5-1 隨著超微細化的進展,挑戰如何應對「奈米顆粒」之對策
  5-2 利用大數據、人工智慧(AI)和虛擬測量來提高良率
 
 
 
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三建技術課程  張小姐
T:02-2536-4647 # 10

 

 

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