日本厚膜光阻與RDL形成製程  

時間:2025/08/16~10/23
  • 字級

   先進封裝用厚膜光阻與再配線層(RDL)形成製程

■ 主辦單位:三建技術課程
■ 日期時間:2025/11/6 (四) 09:30-16:30
■ 上課地點:台南+線上
■ 大綱摘要:
  隨著生成式AI的不斷進化,龐大的資料處理需求正集中於資料中心與基地台,為了以超高速、低功耗且低損耗方式完成這些處理,對半導體晶片的要求也日益嚴苛。
因此,除了前段製程的微縮化外,後段製程的「堆疊技術 (先進封裝)」正逐漸受到關注。
本次演講將聚焦於先進封裝的核心技術之一,晶片間的連接所需的再配線層( Re-Distribution Layer;
  RDL)形成製程,介紹其現況、需求與課題,並結合所使用的厚膜光阻劑特性,探討未來的技術展望。
1.厚膜光阻劑材料
    1.1 光阻劑的特性
    1.2 光阻劑的課題與未來展望

2.再配線層/RDL形成製程的現況、需求與課題,以及未來展望
 2.1 矽中介層型(如 CoWoS-S、I-CubeS)
 2.2 矽橋型(如 CoWoS-L、EMIB、I-CubeE)
 2.3 有機中介層型(如 CoWoS-R、R-Cube)

 
 
 
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三建技術課程  張小姐
T:02-2536-4647 # 10
 

 

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