低溫型高解析PSPI
■ 技術特色
開發可於低溫<200℃烘烤成型之感光型聚醯亞胺(PSPI)，適用於一般broadband UV 系統，以及新型數位曝光系統 (Digital Lithography Technology; DLT@405 nm)， 解析度可達L/S=2/2 μm。
■ 技術應用
低介電絕緣層材料、Micro/Mini LED、PCB、半導體
ALD前驅物(開發品)
■ 技術特色
設計磁性與高電子遷移率之ALD 前驅物，其具有高氣化率可提升材料使用率，搭配PE-ALD可產生高均勻度之奈米等級鍍膜。
■ 技術應用
HEMT之GaN / AlGaN 鍍膜、鐵鈷鎳之磁性薄膜
工研院材化所 L700 半導體製程材料合成與應用研究室