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GaN高功率元件的挑戰(下)

在功率電子的應用中，二極體因載子注入機制與電晶體不同，使其具有更強健的雪崩崩潰(avalanche breakdown)，故占有重要的一席。例如有文獻報告崩潰電壓高達3.7 kV的垂直式GaN pn二極體與1.1 kV的垂直式GaN Schottky barrier二極體(SBD)，其特性已達功率品質因素的理論值。但功率二極體依額定能力不同各有應用領域，如SBD被應用於低中電壓，junction barrier Schottky二極體(...... [詳細]

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