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 【材料最前線】國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(上)
【工業材料雜誌】EVA化學交聯發泡廢棄物的回收再利用：光譜分析與流變性能評價
【研討會】組織修復再生醫材開發研習班 |
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 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(上)
本次 ISSCC會議涵蓋多項技術領域，包括：類比與數位電路、記憶體技術、AI 加速器、高速通訊、電源管理、資安技術以及高速線路設計。其中，記憶體技術的發展備受矚目，特別是在SRAM與GAA製程(N2, 18A)的整合，實現更高密度、更低功耗的應用。此外，3D NAND Flash首次突破400層，並達到5.6 Gb/s per pin的IO速度，而Compute-in-Memory (CIM)技術亦有重大突破，SRAM及Gain-Cell CIM現已支援MX、FP、INT多種數據格式，MRAM-CIM亦透過In-Memory 與Near-Memory Computing的混合架構提升計算效率與噪聲耐受度。64Gb STT-MRAM則透過 DDR4介面展現高密度應用潛力，為新一代記憶體---《本文節錄自「材料最前線」專欄（作者：蘇建維/工研院電光所），更多資料請點選 MORE 瀏覽》
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EVA化學交聯發泡廢棄物的回收再利用：光譜分析與流變性能評價
本文針對化學交聯發泡之乙烯–醋酸乙烯酯共聚物(EVA)廢料開發高效再生技術，透過熱機械反應方式將殘留在化學交聯發泡EVA廢料中的乙酸去除，避免分子鏈過度降解產生二次交聯，以及去除化學交聯發泡後的小分子殘留物，最終開發出EVA再生材料(rEVA)。目前研究建立了脫乙醯化指數(DI)和極性化合物指數(PCI)兩項重要量化指標，應用於評估rEVA品質。比較分析顯示工研院的再生技術具有最低的DI值(0.06)和PCI值(0.04)，明顯優於常溫再生技術(DI = 0.36, PCI = 0.29)和未處理的發泡廢料(DI = 0.50, PCI = 0.19)。另外，經由發泡流變分析，證實開發之rEVA展現出與原始EVA材料相似的優異發泡交聯性能，包括適當的泡沫壓力發展和---《本文節錄自「工業材料雜誌」463期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》 |
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