化合物半導體製程用CVD SiC載盤技術

■ 技術簡介

► 化合物半導體材料具有寬能隙、高功率密度、高崩潰電壓、低功率損耗與較佳的散熱等特性。因此、其應用包括光電感測元件，電動車用功率模組以及高頻通訊用射頻元件或模組等。

► 石墨表面鍍製 SiC 膜層技術，可以使 CVD SiC 套件耐電漿侵蝕、耐高熱衝擊與高熱傳導率，因此CVD SiC 在化合物半導體元件製程中被廣泛使用。

 

■ CVD SiC 關鍵技術

■ 技術規格

► 鍍膜面積達 20 公分直徑

► 膜層厚度達 70μm 以上

► 膜層結構以 3C-SiC 為主

► SiC 膜層硬度 >15 GPa

 

■ CVD SiC 應用載具

► SiC 膜層具備高硬度、耐熱性、耐氧化性、耐腐蝕性與高導熱能力

 

工研院材化所 JA00 先進碳化矽鍍膜材料技術研究室