功率半導體作為電子元件的「心臟」，專責電能轉換與驅動，在綠能、電動車及AI資料中心扮演關鍵角色，在未來無人載具、伺服器等應用的情境下，聚焦於高電壓運作下的散熱解決方案，寬能隙半導體如：碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)寬能隙材料越益普及

 功率半導體元件與散熱技術

功率半導體作為電子元件的「心臟」，專責電能轉換與驅動，在綠能、電動車及AI資料中心扮演關鍵角色，在未來無人載具、伺服器等應用的情境下，聚焦於高電壓運作下的散熱解決方案，寬能隙半導體如：碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)寬能隙材料越益普及，但隨應用功率增加，散熱技術的導入日益重要，開發中的散熱材料與方法包含：QST基板、基板減薄法、SiC功率元件、金屬基複合材料載板（如：銅鎢複材、銅碳化矽複合材料、銅鑽複合材料等），本文進行整理與撰文說明。功率半導體元件於執行大電力(>1.2 kV)的運作下，需要改善元件特性及散熱問題，因此基板材料由傳統的矽半導體擴展為寬能隙（GaN、SiC）半導體基板、使用QST (Qromis Substrate Technology)基板、基板減薄以減少熱阻、碳化矽的MOSFET強化元件性能與散熱、元件封裝用高性能金屬基複合材料等等，提供更多的選擇與應用，預期更多散熱材料及技術的導入，未來將會有更蓬勃的發展 ---《本文節錄自「工業材料雜誌」476期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》