ALD的核心為交替供應前驅物與共反應物，利用具飽和特性的表面反應控制每一循環的反應量。典型二元ALD如表一所示，前驅物A先與表面活性位進行化學吸附，反應飽和後吹除未反應分子與副產物

 從ALD/ALE 2026看原子層製程新趨勢：前驅物設計與區域選擇性沉積

■ ALD、ALE與區域選擇性原子層沉積之基本原理
ALD的核心為交替供應前驅物與共反應物，利用具飽和特性的表面反應控制每一循環的反應量。典型二元ALD如表一所示，前驅物A先與表面活性位進行化學吸附，反應飽和後吹除未反應分子與副產物，再導入共反應物B完成第二個半反應。重複此循環即可控制膜厚並提升高深寬比結構的覆形性。需注意的是，「Atomic Layer」不代表每循環必然沉積完整原子層，實際每循環成長量（Growth Per Cycle; GPC）仍受表面活性位、配體尺寸、立體障礙與初期成核等因素影響。ALE以循序且自限的表面改質與移除反應，將材料去除量控制於單一或少數原子層尺度。以方向性電漿ALE為例，先改質最外層材料，再以受控制的離子能量移除改質層；當改質層清除且離子能量低於未改質材料的有效濺鍍門檻時，蝕刻即趨於停止（圖四）。表面改質（Modification）與材料移除（Removal）皆可具自限性，其協同效應（Synergy）也是ALE區別於連續蝕刻的重要特徵 ---《本文節錄自「材料最前線」專欄（作者：蘇尹翔 / 工研院材化所 ），更多資料請點選 MORE 瀏覽》

 AI晶片構裝用熱介面材料技術發展

隨著GPU、HBM等高功率元件之熱通量持續提升，傳統導熱材料已逐漸難以兼顧高導熱性、低熱阻、機械柔韌性與長期可靠性等需求，因此新世代TIM 1材料的開發已成為先進封裝散熱技術的重要課題。目前常見之TIM 1材料主要可分為相變材料、矽基材料、碳基材料及金屬系材料等。其中，矽基材料因同時具有良好的加工性、柔韌性及良好可靠度特性，為目前市場主要研究方向。然而，為提高導熱性能而增加高導熱填料含量時，往往伴隨材料黏度大幅上升、界面潤濕性下降及熱循環可靠度劣化等問題，因此，為了降低晶片與LID之間因熱膨脹係數差異所引發的翹曲、界面空隙導致熱阻上升問題，如何透過配方與微結構設計兼顧導熱性能、加工性、機械穩定性及長期可靠度，已成為次世代TIM 1材料的核心發展方向 ---《本文節錄自「工業材料雜誌」478期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》