功率半導體之高導熱陶瓷基板材料技術與應用發展

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面對電動車、智慧電網與人工智慧運算等高功率應用快速成長的趨勢,高導熱、高可靠度氮化矽陶瓷基板將持續扮演關鍵角色,並成為推動下一世代功率電子封裝技術發展的重要基石

 無法正常瀏覽內容,請點選此線上閱讀        2026 . 9 . 2   出刊     取消訂閱
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工業材料雜誌
 

 功率半導體之高導熱陶瓷基板材料技術與應用發展

隨著碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第三代半導體技術的快速發展,電力電子、新能源車及航太產業應用對高功率模組的散熱效能與可靠度要求日益嚴苛。傳統氧化鋁(Al2O3)基板導熱效能受限,而高導熱的氮化鋁(AlN)則因斷裂韌性較差,在嚴苛熱循環條件下易產生微裂紋,進而使電路失效。為突破此散熱與可靠度的雙重瓶頸,兼具高熱傳導率與優異機械強度的氮化矽(Si3N4)陶瓷,成為先進功率封裝基板備受矚目的關鍵材料。當前製程技術因聚焦於提升晶格純度、優化微觀結構與改良非氧化物燒結助劑,已成功將氮化矽的熱傳導率提升至120~170 W/(m·K),甚至有機會挑戰更高的水準。而未來技術藍圖,也將持續致力於平衡極致導熱效能與微觀晶粒尺寸控制,以穩健對接次世代高功率密度電子元件的嚴峻散熱需求。面對電動車、智慧電網與人工智慧運算等高功率應用快速成長的趨勢,高導熱、高可靠度氮化矽陶瓷基板將持續扮演關鍵角色,並成為推動下一世代功率電子封裝技術發展的重要基石  ---《本文節錄自「工業材料雜誌」476期,更多資料請點選 MORE 瀏覽》

 
 
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