ALD與ALE技術整合:次世代薄膜製程的挑戰

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原子層氣相沉積(ALD)與原子層氣相蝕刻(ALE)是目前半導體先進製程中的關鍵技術。ALD自1970年代開始發展,因其具備高精準薄膜厚度與高階梯覆蓋率特性,廣泛應用於High-k金屬閘極、3DNAND、TSV/TGV封裝、太陽能電池及2D材料等

 無法正常瀏覽內容,請點選此線上閱讀         2025. 11.26 出刊    取消訂閱
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工業材料雜誌
  ALD與ALE技術整合:次世代薄膜製程的挑戰

原子層氣相沉積 (ALD) 與原子層氣相蝕刻 (ALE) 是目前半導體先進製程中的關鍵技術。 ALD 自1970年代開始發展,因其具備高精準薄膜厚度與高階梯覆蓋率特性,廣泛應用於 High-k 金屬閘極、3DNAND、 TSV / TGV 封裝、太陽能電池及 2D 材料等。而 ALE 則在2000年後逐漸成熟,透過自限性反應實現原子級精準度蝕刻,應用於 GAA / FinFET 結構蝕刻、高深寬比蝕刻以及二維材料的層數控制。未來, ALD 將面臨沉積速率與前驅體限制, ALE 的挑戰則為材料選擇比與量產效率。將兩者結合成 ALD-ALE 超循環 (ALD-ALE Supercycle),有望成為次世代 2 nm 的關鍵技術與二維材料元件製程的核心 ---《本文節錄自「工業材料雜誌」467期,更多資料請點選 MORE 瀏覽》
 
 
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