GaN-基元件相較於傳統矽-基元件，如 MOSFET等，擁有更高的崩潰電壓、功率密度及電子遷移率，而且GaN 的能隙為3.4 eV，遠高於矽的 1.1 eV，使其可以在更高的電壓進行高效的功率轉換 無法正常瀏覽內容，請點選此線上閱讀 2025. 8.25 出刊 取消訂閱 【材料最前線】GaN高功率元件的挑戰(上)【工業材料雜誌】微米級抗電漿蝕刻鍍膜技術於半導體製程設備之應用與突破【研討會】Chiplet × CPO × AI/HPC，先進封裝與材料挑戰一次掌握！ GaN高功率元件的挑戰(上)GaN-基元件相較於傳統矽-基元件，如 MOSFET等，擁有更高的崩潰電壓、功率密度及電子遷移率，而且GaN 的能隙為3.4 eV，遠高於矽的 1.1 eV，使其可以在更高的電壓進行高效的功率轉換，這些特性都顯示GaN-基元件於電力電子及高頻RF的應用將有更大的優勢。又若整合GaN -基功率元件與CMOS於一系統，則透過GaN -基元件高效的功率應用以及CMOS良好的控制與邏輯能力，將可實現最佳的功率效率，這對功率放大器、功率轉換器和電源管理IC (PMIC)等應用尤為重要。值得一提的是與競爭者SiC-基元件相較，GaN -基的尺寸可大幅縮小，代表製造成本可降低，且有利於空間受限系統 ---《本文節錄自「材料最前線」專欄（作者：洪茂峰/國立成功大學電機系;洪肇蔚/中華電信高雄營運處），更多資料請點選 MORE 瀏覽》 微米級抗電漿蝕刻鍍膜技術於半導體製程設備之應用與突破 在高階半導體製程中，電漿蝕刻技術所產生的高能反應環境，對設備腔體與零組件會造成嚴重侵蝕，成為影響製程良率與設備壽命的重要因素。為抑制蝕刻損耗與粒子污染，發展具備高附著性、高密度結構及精準微米級膜厚控制的抗蝕鍍膜成為製程設備關鍵技術之一。本文聚焦在應用於設備內部零組件之微米級抗電漿蝕刻PVD（物理氣相沉積）鍍膜技術，探討其材料選擇、製程特性與在電漿環境下的耐蝕表現。並分析台積電等台灣代表性業者在該技術導入與自主材料開發上的布局，同時檢視全球市場趨勢與挑戰，提出未來應用於極紫外(EUV)蝕刻---《本文節錄自「工業材料雜誌」464期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》 漏水智慧監測技術AI伺服器用浸沒式冷卻液技術NaPoGlass-吸放自如的高效能金屬離子捕捉材精密塗佈產品設計開發平台整合化性分析與應用服務平台 & 高效光阻剝除加速材料技術安全長效抗菌抗病毒材料技術 & 機能微膠囊織物應用材料技術電動車輛智慧電池系統設計與機電整合技術高能量電池之高安全技術及乾式材料與極板製程開發 Chiplet × CPO × AI/HPC，先進封裝與材料挑戰一次掌握！ Altair CAE工程模擬 x 人工智慧整合應用研討會 免費！ 組織修復再生醫材開發研習班 日本厚膜光阻與RDL形成製程 為何高品質精密塗布，離不開乾燥工序的正確理解？ 日本5G毫米波的高頻基板，低介電設計與開發實例解析 低軌衛星規格與一般電子設備的區別 日本TGV玻璃鑽孔3μm直徑 (FOPLP先進關鍵製程) 日本低介電環氧樹脂、載板黏著薄膜、FPC高絕緣可靠性 日本專家揭開材料表面秘密：接觸角與濕潤性對科技應用的關鍵影響 電路板高頻化所需PI、LCP、聚烯烴 日本如何防止Si晶圓表面污染源？ 電子報內容均屬於「材料世界網」所有，禁止轉載或節錄。若您對電子報有任何意見，歡迎指教。材料世界網首頁 │會員中心 │聯絡我們│廣告業務 │訂閱│推薦訂閱 │取消訂閱