高溫靜電防護鍍膜技術及其應用

由於電子零件轉往小型集中化發展，半導體元件之電路越是精細複雜，配線間隔越是狹小，靜電防護之提升已成為相當重要的課題。其中針對高溫封裝製程中所需要之高溫靜電防護材料，須同時具備連續使用耐溫性(>350˚C)、耐酸鹼、靜電消散能力，並同時具有一定程度之機械性質等特性。目前半導體封裝製程中，人員與相關機械設備已有嚴格之靜電防護規範，但在部分封裝製程，目前仍需要積極研發與設計新材料，以便達到未來靜電防護之需求。尤其是在半導體高溫封裝製程中，因為高溫使用環境下，傳統之靜電防護材料皆不耐高溫而無法使用。此現象在高溫封裝製程相關之金屬配件方面特別嚴重，相關金屬材料因為極低之等效電阻問題，而不具備有靜電防護之功效（靜電放電速度與電流極大）。目前僅有之解決方案中，可國產化之鐵氟龍與---《本文節錄自「工業材料雜誌」六月號 390期，更多資料請點選 MORE 瀏覽》

電致發光量子點應用於顯示器之發展(下)

如上篇所述，不同尺寸的QD粒子在接收外部能量的激勵後可以發出涵蓋可見光範圍且顏色純正的光線。若激勵源亦為電磁波(如高能藍光)，則是PL特性；另外假使是通入電流刺激QD，那是EL的能量轉換過程。EL-QD元件(或稱QLED)經過近30年的發展有了長足的進步，開啟了各路人馬、有志之士戮力研發，將其用於顯示器技術，有關EL-QD元件性能要作到與OLED一樣的光效率以及其搭配的高解析度IJP製程將會是兩個關鍵且待突破的技術障礙，以下僅先針對QLED元件技術進行說明。QLED元件的工作原理和構成皆與OLED相仿，其由陰、陽兩個電極夾著一發光層( EML )，電子和電洞分由陰、陽電極擴散而注入、傳輸到EML，電子和電洞在EML再結合形成激子，最後激子以光的型式釋放出能量。顯而易見地，載子必須有效被注入到---《本文節錄自「材料最前線」專欄（作者：蔡東璋），更多資料請點選 MORE 瀏覽》

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