日本明電舍以獨家OER技術,實現在薄膜上的常溫成膜

 

刊登日期:2019/6/25
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日本明電舍公司成功地在較不耐熱的塑膠或極薄薄膜上進行了世界首度的常溫成膜。明電舍利用獨家氧氣生成反應(OER)製程技術與常溫環境下的載送氣體(Carrier Gas),確立了原子層沉積(Atomic Layer Deposition;ALD)成膜技術。一般成膜需要100~200℃的熱能,以常溫實現成膜,將可望削減相關成本。新技術也可望應用於半導體或顯示器的封裝、蓄電池零組件、汽車零組件等廣泛領域。

明電舍的OER製程技術係利用高純度臭氧與乙烯氣體進行反應,在常溫狀態產生高活性的氫氧自由基(OH Radical)。在常溫下可進行有機物的改質、成膜、洗淨,進而實現了高密度之常溫ALD成膜。且藉此可以常溫ALD成膜在薄膜加上一層膜厚40nm鋁單層膜的高阻隔成膜。

常溫的OER-ALD成膜的特徵在於可將一般200℃的處理溫度降至常溫,即可藉此減少膜製造時的能源使用成本,且不會有因熱能造成損害的問題,故亦可在低溫素材上進行成膜。此外,相較於一般成膜在每次形成膜層之際須進行真空排氣,常溫OER-ALD成膜僅須將常溫載送氣體排出,縮短了排氣處理時間。另在氣體流方面,明電舍採用了噴頭(Shower Head),因此可控制成膜厚度,從超薄膜到厚膜皆可自由控制。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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