日本協和化學工業公司開發了一項可應用於電子材料用途之中空二氧化矽(Silica)，粒徑僅數μm且大小均一，並具有低介電特性，是世界上唯一擁有這些特性的中空二氧化矽。可望適用於日趨普及化的5G通訊系統或與6G相關之電子材料用途。
目前樹脂業者積極推動低介電化材料研究，但是僅使用樹脂有其極限，因此欲透過活用空氣本身低介電特性之中空形狀的填料，以改善相關問題。由於積層基板的多層化需求，一層厚度薄化至25～100 μm，因此為了配合需求，填料大小也被要求在0.5～5 μm。然而大多數的中空二氧化矽，其粒徑為數百nm，大多是低介電效果較小的尺寸，或是超過10 μm而不適用的大型尺寸，缺乏合適的大小。
協和化學工業的中空二氧化矽應用了無機粒子合成技術，係於進行菱水鎂鋁石(Hydrotalcite)的研發過程中開發而成，為非晶矽(Amorphous Silicon)組成結構，呈現橢圓狀，粒徑均一，約為1～1.9 μm，中空率則可控制在50～60%。
中空二氧化矽的內部為空洞狀，有助於輕量化、賦予斷熱性等，因此在塗料用添加劑、樹脂製品的填料等用途已趨於普及。而協和化學工業的中空二氧化矽的填料介電率約為1.6～1.7，填料介電損耗為0.001，可望取代5G用電子基板之銅箔基板(CCL)所使用的熔融二氧化矽填料。