布局微型LED的新大陸— 4C產業

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微顯示器的Ⅲ-Ⅴ族半導體結合矽晶半導體控制的綜合模組或產品,是台灣未來的優勢

2023. 4. 19 出刊
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  布局微型LED的新大陸— 4C產業

回顧LED的發展史,Ⅲ-Ⅴ族半導體產業的蜜月期總是像曇花一現般的短暫,由於製造和市場應用放在顯示器的背光和環境照明,因此產能規模、價格戰、財力和靠山成了最後贏家的必要條件。當商品走到了資本與技術的分水嶺後,是台灣半導體產業鏈異軍突起的絕佳時機。台灣半導體產業個個都是製造能手,但產業缺乏中間模組化應用或終端商品的產出,因此不易吸引潛在大客戶上門談合作。當台灣半導體產業鏈已提前布局未來微型LED市場需求時,微型LED的新大陸就在不遠處等待先驅者插旗這片肥美的市場了。奈創巨量移轉技術開發成功並商品化應用,也掛牌上市,代表台灣在Micro LED領域已領先插旗。但國際上日本的信越化學也同樣成功開發巨量---《本文節錄自「材料最前線」專欄(作者:張獻仁),更多資料請點選 MORE 瀏覽》
 
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工業材料雜誌
  原子層沉積之前驅物技術

隨著半導體領域逐漸往小尺寸及3D結構邁進,對於鍍膜沉積的覆蓋率及均勻性要求亦同步提高,傳統的化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)等技術漸漸無法滿足需求,而原子層沉積(ALD)具有高階梯覆蓋率(幾乎100%)、高厚度均勻性及原子級膜厚控制,有著明顯的優勢以及不可取代性,現今已廣泛應用在半導體、有機光電、能源工程等領域。ALD製程中,前驅物分子會於基材表面反應形成單層薄膜,因此在分子的設計上需要有高反應性、高熱穩定性、低副產物殘留等要素,才能有效應用於ALD領域。反應性與熱穩定性可以從搭配的配體做選擇。若要提高前驅物的蒸氣壓增加揮發性,可優先從分子之間的堆疊特性作為考量依據,同樣分子量的---《本文節錄自「工業材料雜誌」436期,更多資料請點選 MORE 瀏覽》
 
 
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