實現大面積化、高深寬比之TGV玻璃基板,可望促進半導體封裝高性能化

 

刊登日期:2023/4/18
  • 字級

大日本印刷(DNP)開發了一項次世代半導體封裝用途的玻璃通孔電極(TGV)玻璃基板,可望取代既有的FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)等樹脂基板,且因具備高密度的TGV,將可實現更勝於以往的高性能半導體封裝。

在講求半導體高性能化、高可靠度等需求下,次世代半導體封裝技術可將功能不同的半導體晶片高密度搭載於同一基板上並提升處理速度而受到業界矚目。然而,玻璃中介層(Glass Interposer; GIP)等封裝中繼基板的電極成形技術上,仍有難以達到間距細微化、封裝大面積化等課題存在。

新開發的玻璃基板為Conformal Type,具備為了接電而成形於玻璃內外的細微金屬配線TGV,通孔的側壁上貼附了一層金屬。透過這次的新工法,提升了玻璃與金屬之間的密著度,突破不易緊密貼合的既有課題,實現了間距細微化並可提升產品的可靠度。

此外,在一定的面積下想傳輸大容量的訊號,需要高深寬比(Aspect Ratio)的通孔電極。新基板的深寬比高達9以上,並具備充足的密著性以利於形成細微配線。此外,由於對玻璃基板的厚度限制較少,因此在曲撓、剛性、平整性等設計自由度上也有所提升,應用在基板製程上則可望實現封裝的大型化。今後DNP將更進一步將基板尺寸提高至510×515 mm,並計畫2027年度達成50億日圓的銷售目標。


資料來源: https://www.dnp.co.jp/news/detail/20169059_1587.html
分享