日本東京農工大學與德山(株)等研究團隊開發出具有導電性的氮化鋁(A1N)單晶基板。以氨氣作為原料的A1N晶體生長法，結合添加四氯化矽的獨創技術，成功賦予並控制A1N結晶基板導電性。利用此基板製作縱型電子元件的蕭特基二極體(SBD)，首度確認高整流比與550V以上的耐壓，目前為世界最高水準。今後將持續進行改良，將耐壓提升至1萬V，並發揮碳化矽(SiC)等次世代基板材料的優異特性，可望應用於大電壓產業用馬達、智慧電網等的電子元件用途上。預計2017年付諸實用化。
研究團隊過去是以鋁與氯化氫產生化學反應，開發出透過氫化物氣相磊晶(HVPE)法，以氮源製作超高純度A1N結晶的技術。這次導入添加四氯化矽的摻雜(Doping)技術，成功製作出導電性A1N基板。導電性A1N基板的製作是在高溫下以昇華法將A1N粉末昇華後，製作出高純度A1N結晶基板，將此基板作為最底層，再以HPV法形成導電性A1N單晶厚膜，一小時可形成25µm的厚度。以矽的供給量與結晶中的濃度為比例，證實導電性A1N層具有n型電導性。此外，添加矽後並不會導致結晶性的劣化。