化合物半導體碳化矽粉體材料技術探討

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據MarketsandMarkets的預測,化合物功率半導體的市場規模於2026年將增至44億7,820萬美元

2022. 5. 11 出刊
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工業材料雜誌
  化合物半導體碳化矽粉體材料技術探討

根據MarketsandMarkets的預測,化合物功率半導體的市場規模於2026年將增至相較2020年逾6倍的44億7,820萬美元,碳化矽晶圓材料已是全球重要的策略材料,其中,高純半絕緣型(HPSI)碳化矽晶圓因高純度、高電阻、與氮化鎵熱膨脹係數接近等特性,被選擇用於5G、衛星RF通訊功率放大器產業中,做為氮化鎵磊晶成長的關鍵襯底材料。高純半絕緣碳化矽單晶生長以粉體為原料,高純度的碳化矽粉體可採用高純矽粉和碳粉在高溫下反應合成,然而,如何達到高純度(≧99.999%)與半絕緣(Nitrogen Doping <5 × 1015/cm3)是一大挑戰。本文藉由相關數據的探討瞭解,找出高純度半絕緣碳化矽粉體合成製程中的關鍵,做為未來發展的重點方向---《本文節錄自「工業材料雜誌」425期,更多資料請點選 MORE 瀏覽》
 
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材料最前線
  寬能隙半導體單晶市場現狀與展望(下)

金澤大學以開創鑽石電子學為目標,積極推動單晶鑽石的結晶成長、摻雜控制、表面/界面結構控制等鑽石半導體相關之研究,並與產業技術總合研究所(AIST)、德國應用科學研究機構Fraunhofer Gesellschaft共同合作,在2020年12月利用在單晶矽基板上形成異質磊晶成長鑽石膜製成的鑽石獨立基板,製作出反轉層(通道)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),且成功實現了世界首次的運作,確認呈現明確的常閉特性。雖然結晶品質尚不如同質磊晶成長鑽石,但已證實異質磊晶成長鑽石單晶能實現與同質磊晶成長鑽石單晶同等的活用。今後進一步發展此項技術,將可望透過市售300mm單晶矽晶圓的利用,解決單晶鑽石晶圓大面積化、低成本化等課題---《本文節錄自「材料最前線」專欄(編譯:范淑櫻),更多資料請點選 MORE 瀏覽》
 
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