SOG

 

刊登日期:1996/4/5
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除了提升SOG 的平坦化能力以應付更嚴謹的製程需求之外,現有的SOG研發重點,尚包括如何降低旋塗式IMD的介電常數(Dielectric Constant) ,以減少金屬導線與IMD 之間的RC 延遲(Delay),如何抑制SOG 的龜裂及研發新的SOG 流程與材料等等。尤其是在開發未來具低介電常數的IMD技術上,SOG 與類似SOG 的旋塗式製程,似乎已展現相當的可行性。因此,在可以預見的未來裡,旋塗式的薄膜製程將進行以上的改進,並與其他先進且發展中的IMD 技術,如:CMP 、HDP和SiOF等進行整合,而做為以後ULSI 多重內連線製程的主力。
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