半導體薄膜結晶化溫度比以往降低200℃新技術

 

刊登日期:2010/12/29
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日本兵庫縣立大學松尾教授於本月初發表一新技術,可降低半導體薄膜之結晶化溫度,有效防止塑膠基板劣化,未來除可應用於液晶電視、有機EL面板等高性能薄膜TFT上,對可撓式面板與下一代薄膜太陽電池的開發也有幫助。

該教授以放射光設施「NewSUBARU」照射軟X線Undulator,使非晶質Silicon及Germanium結晶化,這次調整了軟X線的光子能源,激起物質中的原子與分子內的電子,使得原子較容易移動而降低了結晶化時產生的熱源,約420-580℃即可達到結晶化,比以往約降低了100-200℃。


資料來源: 日刊工業新聞/材料世界網編譯
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