日本兵庫縣立大學松尾教授於本月初發表一新技術,可降低半導體薄膜之結晶化溫度,有效防止塑膠基板劣化,未來除可應用於液晶電視、有機EL面板等高性能薄膜TFT上,對可撓式面板與下一代薄膜太陽電池的開發也有幫助。 該教授以放射光設施「NewSUBARU」照射軟X線Undulator,使非晶質Silicon及Germanium結晶化,這次調整了軟X線的光子能源,激起物質中的原子與分子內的電子,使得原子較容易移動而降低了結晶化時產生的熱源,約420-580℃即可達到結晶化,比以往約降低了100-200℃。 資料來源: 日刊工業新聞/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 複合多重模態原子層沉積製程技術 化合物半導體製程用CVD SiC鍍膜技術 Patentix等成功地利用次世代半導體材料r-GeO2在SiC成膜 筑波大學成功實現在塑膠薄膜上的高性能半導體薄膜合成 高選擇率與滲透率之濾氫薄膜 熱門閱讀 半導體產業廢硫酸純化再利用 化合物半導體材料市場與應用導論 碳化矽晶體成長技術發展 新穎5G軟性基板材料開發與應用 從2024 ICEP看國際半導體先進封裝技術 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司