日本兵庫縣立大學松尾教授於本月初發表一新技術，可降低半導體薄膜之結晶化溫度，有效防止塑膠基板劣化，未來除可應用於液晶電視、有機EL面板等高性能薄膜TFT上，對可撓式面板與下一代薄膜太陽電池的開發也有幫助。 該教授以放射光設施「NewSUBARU」照射軟X線Undulator，使非晶質Silicon及Germanium結晶化，這次調整了軟X線的光子能源，激起物質中的原子與分子內的電子，使得原子較容易移動而降低了結晶化時產生的熱源，約420-580℃即可達到結晶化，比以往約降低了100-200℃。 資料來源: 日刊工業新聞/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 產總研等發現新電極材料，可降低Ge半導體電子流動阻礙 原子層沉積之應用與未來發展趨勢 高效能脈衝低缺陷鍍膜技術 複合多重模態原子層沉積製程技術 熱門閱讀 全球稀土供應鏈變化對臺灣產業之影響 中國稀土等關鍵礦物管制的發展脈絡與影響 飛灰/爐渣處理之重大成效：從「高價掩埋」到「減碳轉生」 影像分析技術於水處理的運用 產氫材料於電催化製氫之發展趨勢 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司