日本兵庫縣立大學松尾教授於本月初發表一新技術，可降低半導體薄膜之結晶化溫度，有效防止塑膠基板劣化，未來除可應用於液晶電視、有機EL面板等高性能薄膜TFT上，對可撓式面板與下一代薄膜太陽電池的開發也有幫助。 該教授以放射光設施「NewSUBARU」照射軟X線Undulator，使非晶質Silicon及Germanium結晶化，這次調整了軟X線的光子能源，激起物質中的原子與分子內的電子，使得原子較容易移動而降低了結晶化時產生的熱源，約420-580℃即可達到結晶化，比以往約降低了100-200℃。 資料來源: 日刊工業新聞/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 原子層沉積之應用與未來發展趨勢 高效能脈衝低缺陷鍍膜技術 複合多重模態原子層沉積製程技術 化合物半導體製程用CVD SiC鍍膜技術 Patentix等成功地利用次世代半導體材料r-GeO2在SiC成膜 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻：鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 海洋碳捕獲崛起，更有效率且可望轉換出新經濟價值 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 日本綜合化學品製造商聚焦EUV，展望半導體材料領域 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司